描述：

集萃中科光電光譜橢偏儀SE-200是一款自主研發(fā)的光學(xué)測量設(shè)備，專為高精度、高效率的材料光學(xué)特性分析而設(shè)計(jì)。它能夠自動(dòng)快速、準(zhǔn)確地測量材料的折射率、消光系數(shù)和膜厚，適用于科研、半導(dǎo)體、光伏、光學(xué)鍍膜、顯示面板等領(lǐng)域的薄膜與材料表征需求。

?產(chǎn)品?功能：

折射率測量

精確測定材料在不同波長下的折射率，為光學(xué)設(shè)計(jì)及材料研究

提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。

消光系數(shù)測量

分析材料的光吸收特性，助力光電器件性能優(yōu)化。

膜厚測量

支持納米至微米級(jí)薄膜的厚度檢測，分辨率高，重復(fù)性好。

快速自動(dòng)測試

具備多點(diǎn)自動(dòng)掃描功能，測量速度達(dá)1秒/點(diǎn)，大幅提升

批量檢測效率。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

光學(xué)系統(tǒng)  用以采集全波段內(nèi)的原始橢圓偏振參數(shù)Psi&Del

入射角度：65°；

光束偏離：＜0.3°；

測量參數(shù)： Psi&Del、TanPsi&CosDel；Alpha&Beta；

偏振器：格蘭-湯姆森；

材質(zhì):  α-BBO；

補(bǔ)償器：四分之一波長相位延遲，超消色差；

光強(qiáng)選擇：線性光密度光選。保證測試過程中較佳信噪比，提升測試精度；既防止光 強(qiáng)過強(qiáng)引起的光強(qiáng)截止，又防止光強(qiáng)不夠引起的信噪比過低，影響測試精 度；

光路設(shè)計(jì)：偏振光學(xué)主體由雙光纖連接至光源及光譜儀系統(tǒng)；光路穩(wěn)定，且方便更換 壽命到期的燈泡；

光纖：抗紫外鈍化；NA=0.22；孔徑600μm，增加抗靜電套圈；

微細(xì)光斑：直徑≤200μm，達(dá)到分離透明及半透明襯底前后表面光斑的效果；微細(xì) 光斑裝置可自由拆卸；

出射狹縫：150μm，用以分離透明及半透明襯底的后表面無效光；

高效鏡組：配置紫外滲透高效收光鏡組。

光譜采集  背照式TE制冷CCD光纖譜儀，讀取全波段光強(qiáng)數(shù)值

檢測單元：2048元快速背照式CCD探測器，狹縫25微米或50微米；

具體參數(shù)：A.光譜范圍優(yōu)于350nm-1000nm；

B.雜散光＜0.02%@400nm；

C. 信噪比4800:1；

D. 動(dòng)態(tài)范圍50000:1；

E. 全息光路；

F. 數(shù)字分辨率16-bit；

G. 讀取速度>400kHz；

H. 數(shù)據(jù)傳輸速度600MB/s；

I. 最小積分時(shí)間/調(diào)節(jié)步長6 us /1us；

J. 外觸發(fā)延遲95ns+/-20ns；

K. 計(jì)算機(jī)接口USB3.0；

L. 操作系統(tǒng)Win7/Win10；

紫外區(qū)平均量子化效率：背照式CCD，平均量子化效率≥75%；

冷卻系統(tǒng) 微型TE制冷，制冷溫度可達(dá)環(huán)境下溫度30℃，制冷溫度可通過軟件設(shè)置；

積分方式：軟件智能化設(shè)置積分時(shí)間，以較佳信噪比獲得高強(qiáng)度信號(hào)和弱信號(hào)；

儲(chǔ)存空間：具有EEPROM 64組光譜數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間，可由光譜儀單獨(dú)存儲(chǔ)后一次性 輸入計(jì)算機(jī)，減少單次傳輸過程時(shí)間損耗；

線性矯正：具有光譜全域線性矯正功能，線性矯正因子可由軟件讀出，在非線性光譜 區(qū)亦保證較高的光譜線性度；

抗靜電：增加抗靜電干擾配置。

光源系統(tǒng)  鹵素光源

燈源體：光源系統(tǒng)，燈泡材質(zhì)石英玻璃，波長范圍350nm-2000nm，

光源質(zhì)保：10000小時(shí)；

電源：鹵素光源獨(dú)立電源；

電壓：4.95v；

散熱：能自燈源體均勻散熱。不會(huì)因散熱不暢引起燈泡體溫度過高影響使用壽命，又不會(huì)因散熱不均影響光強(qiáng)漂移。

全自動(dòng)多點(diǎn)移動(dòng)測試  可自動(dòng)多點(diǎn)移動(dòng)測試，移動(dòng)方式為X-Y(X-Theita極坐標(biāo)可選)形移動(dòng)，含Z軸自動(dòng)對(duì)焦，將試片自動(dòng)對(duì)焦至較佳測量位置

點(diǎn)數(shù)可設(shè)置： 如1，3，5，9，16，25…100點(diǎn)；

位置限定：具有正負(fù)極限位置及零位光耦；軟件設(shè)定對(duì)焦起始結(jié)束位置及對(duì)焦位移步 長；

對(duì)焦方式：光學(xué)對(duì)焦；采集特殊積分時(shí)間及特殊波長下的垂直Z向移動(dòng)對(duì)應(yīng)的光強(qiáng) 曲線，利用高斯擬合，尋找較佳試片測量位置；

載物臺(tái)面： 適用于較大12英寸規(guī)格的硅片測試，向下兼容，尋邊低于3mm。

測量分析軟件  適用于Windows11操作系統(tǒng)（正版）；圖形化操作界面，軟件操作方便、直觀

一鍵測量：能一鍵測量 (完成包括對(duì)焦，光選，采集，分析在類)的全部測量流程。另外提供對(duì)焦、光選、采集、建模、回歸等分步功能按鈕；

軟件建模：包括EMA，Dispersion，Grade，Roughness等；

復(fù)雜建模：包括Sellmeier(2)、Sellmeier(3)、Cauchy(n,k)、Cauchy(epsi)、 ModifCauchy(n,k)、Drude、IRTail、Lorentz、Gauss、CriticalPoint等復(fù) 雜理論建模模型，且使用簡單清晰；

折射率垂直梯度分析：包括對(duì)折射率垂直梯度的分析；

粗糙度分析：包括對(duì)鍍膜膜層界面粗糙度的分析；

膜層分析：可進(jìn)行單層及多層膜分析顯示，分析膜層數(shù)不受限制；

波長范圍及波長數(shù)目：可自定義分析波長范圍及波長數(shù)目；

修正模型及擬合：用戶可自定義修正模型和擬合參數(shù)；

數(shù)據(jù)庫： 提供便于使用、用戶可擴(kuò)展（自定義）的材料數(shù)據(jù)庫及模型數(shù)據(jù)庫；

波長顯示：光譜能以能量及波長單位顯示；

輸出結(jié)果：擬合出所測薄膜厚度, n&k常數(shù);

MES：支持MES功能；

具有三級(jí)權(quán)限：OperationMode、EngineerMode、SyscosMode。

測試與分析性能

速度：單點(diǎn)約1秒；49點(diǎn)約1分30秒；

波長范圍：350nm-1050nm；

膜厚顯示精度：0.1 ? (For 100nm SiO2)；

折射率顯示精度：1x10-3 (For 100nm SiO2)；

膜厚重復(fù)性精度：0.1? (Std，10次，F(xiàn)or 100nm SiO2，)；

折射率重復(fù)性精度：1x10-3(Std，10次， For 100nm SiO2)；

厚度范圍：0.1nm - 10000nm；

膜厚精度：0.3nm（跟標(biāo)準(zhǔn)片標(biāo)定值差異）；

折射率精度：0.003（跟標(biāo)準(zhǔn)片標(biāo)定值差異）。

控制系統(tǒng)

運(yùn)動(dòng)控制：7軸；

實(shí)時(shí)系統(tǒng)：含外觸發(fā)及軟件自觸發(fā)；

校準(zhǔn)歸零：起偏器P、補(bǔ)償器C、檢偏器A、光選器F、對(duì)焦軸Z、移動(dòng)軸XY有自歸零位置校準(zhǔn)功能，同時(shí)對(duì)偏振態(tài)控制器配置高精度對(duì)對(duì)編碼位置鎖定器，具有帶隙補(bǔ)償功能。

光譜橢偏儀SE-200