真空等離子增強化學氣相沉積PECVD系統PECVD是借助于輝光放電等方法產生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。通過反應氣態放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優點，工藝流程簡單。    PECVD小型滑動開啟式管式爐系統通過滑動爐體來實現快速的升降溫，配置不同的真空系統來達到理想的真空度；同時通過多路高精度質量流量計控制不同氣體。是實驗室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等的理想選擇。

主要用途：

設備可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應用于*、高精模具、硬質涂層、裝飾等領域。

產品描述：

該款PECVD系統, 可以分為低溫、中溫、高溫三種加熱形式，加熱元件可分為電阻絲（1200℃以下使用）、硅碳棒（1400℃以下使用）、硅鉬棒（1700℃以下使用）等；

PECVD系統主要由供氣系統、加熱系統、射頻電源、真空系統等組成；

1）加熱系統可以分單溫區、雙溫區、三溫區、多溫區等；

2）真空系統可分為低真空和高真空，高極限真空可以達到10-4Pa（分子泵組）；

3）射頻電源借助于輝光放電等方法產生等離子體，輝光放電等離子體中；

4）供氣系統是流量調節用戶可選擇質量流量計或浮子流量計，混氣路數用戶可選2路、3路、4路、5路、6路等相混合（主要根據客戶工藝要求定制）；

PECVD是借助于光放電等方法產生等離子體，光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。通過反應氣態放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優點，工藝流程簡單。

爐底(可選)配安裝一對滑軌，可用手滑動（主要適用于1200℃以下加裝滑軌）?？梢赃_到快速升降溫的目的，為取得快加熱速率，可以預先加熱爐子到設定的溫度，然后移動爐子到樣品區。可在樣品加熱后移動爐子到另一端，實現快速降溫功能。是高校、科研院所、工礦企業做高溫氣氛燒結、氣氛還原、CVD實驗、真空退火用的理想產品。

真空等離子增強化學氣相沉積PECVD系統主要功能和特點：

1、 1200℃爐蓋可打開，可以隨時觀察加熱的物料，并能迅速降溫，滿足材料驟冷驟熱的實驗需要。

2、 爐膛采用*真空吸附成型的優質氧化鋁多晶纖維制成，保溫效果好，耐用節能， 不掉粉、反射率高、溫場均衡，等特點。

3、1）、加熱元件采用高電阻優質合金絲0Cr27Al7Mo2，高發熱溫度可達1200℃。

     2）、加熱元件采用優質硅碳棒，高發熱溫度可達1400℃。

     3）、加熱元件采用優質硅鉬棒，高發熱溫度可達1700℃。

4、通過射頻電源實現輝光放電等方法，產生等離子體。

5、數字質量流量控制系統是由多路質量流量計，流量顯示儀等組成，實現氣體的流量的精密測量和控制；每條氣體管路均配備高壓逆止閥，保證系統的安全性和連續均勻性。

6、爐管采用高純石英管，高溫下化學穩定性強，熱膨脹系數極小，能承受驟冷驟熱的溫度；

7、采用KF快速法蘭密封，僅需要一個卡箍就能完成法蘭的連接，放、取物料方便快捷，避免了螺栓密封人為操作導致漏氣的可能；減少了因安裝法蘭而造成加熱管損壞的可能；

8、預留了真空、氣路快速接口，可配合我司真空系統、混氣系統使用；

9、我司可配預留485轉換接口，可通過我部的軟件，與計算機互聯，可實現單臺或者多臺電爐的遠程控制、實時追蹤、歷史記錄、輸出報表等功能；可安裝無紙記錄裝置，實現數據的存儲、輸出；

技術參數：