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簡要描述：反應離子蝕刻設備機器中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

簡要描述：RIE等離子刻蝕機SI 591：預真空室和計算機控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得SI 591 具有優異的工藝再現性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模...

簡要描述等離子蝕刻機Etchlab 200根據其模塊化設計，可升級為更大的真空泵組，預真空室和更多的氣路。

簡要描述：等離子刻蝕機由于離子能量低，離子能量分布帶寬窄，因此可以用我們的等離子體刻蝕機SI 500進行低損傷刻蝕和納米結構的刻蝕。

簡要描述：深硅刻蝕機三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有...

簡要描述：反應離子刻蝕機我們的等離子蝕刻設備包括用功能強大的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面，參數窗口，工藝窗口，數據記錄和用戶管理。

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日本傾斜角RIE等離子蝕刻機的簡介：日本傾斜角刻蝕代表了直接置片等離子刻蝕機家族，它結合了RIE的平行板電極設計和直接置片的成本效益設計的優點。Etchlab2...

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簡要描述：便攜式樣品傳送腔體沉積系統是一種專門設計用于在超高真空環境中傳送和處理樣品的設備。這種設備通常包括一個或多個關鍵組成部分，如連接真空計的接口、反射式光...

簡要描述：4/6英寸輻射式樣品臺系統“可能指的是一種用于實驗或研究的設備或組件，特別是在材料科學、物理學、工程學或其他需要精確控制和分析樣品的環境中的設備。

簡要描述：插拔式加熱器沉積系統是一種方便、實用的加熱設備，廣泛應用于各種工業和商業領域。這種加熱器通常具有緊湊的設計，可以方便地插入到電源插座中，提供快速、高效...

簡要描述：脈沖激光沉積樣品臺是一種物理氣相沉積技術，用于在襯底上生長高質量的薄膜。脈沖激光沉積系統中的樣品臺是一個關鍵組件，用于支撐和加熱待沉積的樣品。

簡要描述：脈沖激光沉積靶臺的設計和應用對于脈沖激光沉積系統的性能和實驗結果具有重要影響。通過綜合考慮穩定性、熱隔離、靈活性、靶材均勻性、冷卻機制以及靶材旋轉等因...

簡要描述：脈沖激光沉積系統激光光路是一個高度復雜和精密的系統，需要各個部分的緊密配合和精確控制，才能制備出高質量的薄膜。同時，隨著科技的發展，脈沖激光沉積技術也...

簡要描述：單腔體脈沖激光沉積系統是一種的材料制備技術，它利用脈沖激光的高能量密度來蒸發和電離靶材上的物質，并在基底上沉積形成各種物質薄膜。這種系統通常包括一個沉...

簡要描述：雙腔體脈沖激光沉積系統（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一種的薄膜制備技術，它結合了脈沖激光...

簡要描述：電漿原子層沉積設備是一種基于常規ALD的方法，其利用電漿作為裂化前驅物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。

簡要描述：原子層沉積設備2為一種氣相化學沉積技術。大多數的ALD反應，將使用兩種化學物質稱為前驅物。這些前驅物以連續且自限的方式與材料表面進行反應。

簡要描述：原子層沉積系統是基于順序使用氣相化學過程的最重要技術之一；它可以被視為一種特殊類型的化學氣相沉積（CVD）。多數ALD反應使用兩種或更多種化學物質（稱...