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等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD(1) 應(yīng)用方向：高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途；用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模...
型號(hào)： customize... 所在地：英國(guó) 參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:41:58 對(duì)比

氣相沉積化學(xué)氣相沉積設(shè)備
化學(xué)氣相沉積MOCVD
MOCVD設(shè)備是通過(guò)將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式，經(jīng)載帶氣體送到反應(yīng)室，進(jìn)行熱分解反應(yīng)而生長(zhǎng)出薄膜材料。應(yīng)用方向：Ga2O3,GaN, InP, G...
型號(hào)： customize... 所在地：德國(guó) 參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:38:03 對(duì)比

化學(xué)氣相沉積氣相沉積設(shè)備愛(ài)思強(qiáng)
脈沖激光沉積鍍膜機(jī)PLD
脈沖激光沉積鍍膜機(jī)PLD系統(tǒng)主要由真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。
型號(hào)： customize... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:35:11 對(duì)比

脈沖激光沉積鍍膜機(jī)鍍膜機(jī)
等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式，等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的負(fù)載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過(guò)采用龍卷風(fēng)式線圈電...
型號(hào)： RIE-230iP 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:32:42 對(duì)比

等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備 RIE-230iP SAMCO
電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)E-Beam
電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)E-Beam 概述：系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過(guò)渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、...
型號(hào)： customize... 所在地：美國(guó) 參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:32:13 對(duì)比

電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)鍍膜機(jī)
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE 是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中，將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束，從爐中噴出后，沉積在高溫的單晶基片上。如果...
型號(hào)： customize... 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:31:10 對(duì)比

薄膜沉積系統(tǒng)分子束外延分子束外延沈陽(yáng)科儀
等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
RIE-400iP是用于ø4 “晶圓的負(fù)載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備可對(duì)各種半導(dǎo)體和絕緣膜進(jìn)行高精度、高均勻性加工。采用龍卷風(fēng)線圈的電...
型號(hào)： RIE-400iP 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:30:06 對(duì)比

等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備 RIE-400iP SAMCO
熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)Thermal Evaporation
熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)Thermal Evaporation 設(shè)備用途：熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi)，通過(guò)對(duì)鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積于基體或工件表面并...
型號(hào)： customize... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:28:53 對(duì)比

熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)鍍膜機(jī)
等離子體刻蝕設(shè)備
高密度等離子體刻蝕設(shè)備系統(tǒng)采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復(fù)性和穩(wěn)定性。
型號(hào)： RIE-800iP... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:25:32 對(duì)比

等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備 SAMCO RIE-800iPC
磁控濺射鍍膜機(jī)Sputter
磁控濺射鍍膜機(jī)Sputter應(yīng)用領(lǐng)域：巨磁電阻（GMR）、組合材料科學(xué)（CMS）、半導(dǎo)體、超導(dǎo)體、納米級(jí)器件、光子學(xué)、光伏（PV）、OLED（發(fā)光二極管）、有機(jī)...
型號(hào)： customize... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:22:18 對(duì)比

磁控濺射鍍膜機(jī)
多功能濺射、電子束和熱蒸發(fā)沉積平臺(tái)
Kurt J. Lesker Company PRO Line PVD 200 多功能濺射、電子束和熱蒸發(fā)沉積平臺(tái)是一種模塊化、功能齊全的薄膜沉積系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn) ...
型號(hào)： PRO Line ... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:15:39 對(duì)比

物理氣相沉積 PRO Line PVD 200 KURT.J.LESKER
無(wú)掩膜/激光直寫光刻機(jī)
無(wú)掩膜/激光直寫光刻機(jī) 參數(shù)：1. 光源：375 nm、385 nm、405 nm 激光器2. 線寬：0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μm3. 光刻效...
型號(hào)： UV Litho-... 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:14:13 對(duì)比

無(wú)掩膜光刻機(jī)激光直寫光刻機(jī)光通訊芯片光刻功率芯片光刻生物芯片
槽式濕法刻蝕清洗設(shè)備
槽式濕法刻蝕清洗設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域：RCA清洗，濕法去膠，介質(zhì)層濕法刻蝕，金屬層濕法刻蝕，爐管前清洗等
型號(hào)： customize... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:11:50 對(duì)比

槽式濕法刻蝕清洗設(shè)備 RCA清洗濕法去膠介質(zhì)層濕法刻蝕爐管前清洗
有掩膜光刻機(jī)
1.手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)有掩膜光刻機(jī)2.高分辨率掩模對(duì)準(zhǔn)光刻，特征尺寸優(yōu)于0.5微米3.基片尺寸可滿足4、6、8、12英寸4.經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)，方便處理各種非標(biāo)準(zhǔn)基...
型號(hào)： MA12 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:10:06 對(duì)比

半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備氣相沉積鍍膜機(jī)氣相沉積
深硅刻蝕設(shè)備
RIE-802BCT深硅刻蝕設(shè)備是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個(gè)反應(yīng)室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標(biāo)準(zhǔn)配置有空氣盒和晶圓邊緣保護(hù)環(huán)，以及高精度的晶圓對(duì)準(zhǔn)器。該高...
型號(hào)： RIE-802BC... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:09:17 對(duì)比

深硅刻蝕設(shè)備 RIE-802BCT SAMCO
有機(jī)EL成膜設(shè)備SOLCIET
有機(jī)EL成膜設(shè)備SOLCIET, SATELLA, ZELDA系列。ULVAC面向有機(jī)EL材料開(kāi)發(fā)提供實(shí)驗(yàn)用設(shè)備系統(tǒng)到量產(chǎn)Cluster系統(tǒng)設(shè)備和Inline系...
型號(hào)： SATELLA, ... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:08:25 對(duì)比

有機(jī)EL成膜設(shè)備SOLCIET 愛(ài)發(fā)科 ULVAC
等離子清洗&去膠機(jī)
等離子清洗&去膠機(jī)產(chǎn)品簡(jiǎn)介：1) 用途：材料清洗、材料活化、材料刻蝕、材料涂覆(2) 80 kHz：功率 1000 或 3000 W(3) 13.56 MHz：...
型號(hào)： customize... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:05:19 對(duì)比

等離子清洗&去膠機(jī)清洗機(jī)去膠
深硅刻蝕設(shè)備
RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅DRIE系統(tǒng)。這種高性能系統(tǒng)能夠進(jìn)行高縱橫比處理（超過(guò)100）和低扇形處理，同時(shí)保持高蝕刻率和選...
型號(hào)： RIE-800BC... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:01:59 對(duì)比

深硅刻蝕設(shè)備 RIE-800BCT SAMCO
電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備
Samco 的 RIE-800iPB 是一種電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備，使用高密度等離子體進(jìn)行 MEMS 和 TSV 應(yīng)用所需的深度硅蝕刻。RIE-800iPB是...
型號(hào)： RIE-800iP... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 13:57:32 對(duì)比

深硅刻蝕設(shè)備 RIE-800iPB SAMCO
等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)
PD-200STL是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(300nm/min)等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液...
型號(hào)： PD-200STL 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 13:51:59 對(duì)比

等離子體增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)PD-200STL 化學(xué)氣相沉積 SAMCO

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