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深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第2年

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MC-LMBE / PAC-LMBE 激光分子束外延系統(tǒng)

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更新時(shí)間:2023-05-19 14:06:56瀏覽次數(shù):151次

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激光分子束外延(Laser MBE)是上個(gè)世紀(jì)90年代發(fā)展起來(lái)的一種新型高精密制膜技術(shù),它集PLD的制膜特點(diǎn)和傳統(tǒng)MBE的超高真空精確控制原子尺度外延生長(zhǎng)的原位實(shí)時(shí)監(jiān)控為一體,除保持了PLD方法制備的膜系寬,還可以生長(zhǎng)通常的半導(dǎo)體超晶格材料,特別適合生長(zhǎng)多元素、高熔點(diǎn)、復(fù)雜層狀結(jié)構(gòu)的薄膜,如超導(dǎo)體、光學(xué)晶體、鐵電體、壓電體、鐵磁體以及有機(jī)高分子等。

激光分子束外延(Laser MBE)是上個(gè)世紀(jì)90年代發(fā)展起來(lái)的一種新型高精密制膜技術(shù),它集PLD的制膜特點(diǎn)和傳統(tǒng)MBE的超高真空精確控制原子尺度外延生長(zhǎng)的原位實(shí)時(shí)監(jiān)控為一體,除保持了PLD方法制備的膜系寬,還可以生長(zhǎng)通常的半導(dǎo)體超晶格材料,特別適合生長(zhǎng)多元素、高熔點(diǎn)、復(fù)雜層狀結(jié)構(gòu)的薄膜,如超導(dǎo)體、光學(xué)晶體、鐵電體、壓電體、鐵磁體以及有機(jī)高分子等,同時(shí)還能進(jìn)行其相應(yīng)的激光與物質(zhì)相互作用和成膜過(guò)程的物理、化學(xué)等方面的基礎(chǔ)研究。

日本Pascal公司一直致力于PLDLaser MBE系統(tǒng)的研發(fā)工作,已經(jīng)向世界上的高校或研究所提供了高性能、高穩(wěn)定的設(shè)備。在Laser MBE中,使用脈沖激光源,而且與通過(guò)石英窗口和超高真空系統(tǒng)隔離。高能量密度的脈沖激光將靶材局部氣化而產(chǎn)生激光焰,被剝蝕的粒子獲得很高的動(dòng)能,達(dá)到可以加熱的襯底表面形成薄膜。薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程可由反射式高能電子衍射(RHEED)系統(tǒng)監(jiān)控。RHEED的衍射條紋提供薄膜生長(zhǎng)的晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌,強(qiáng)度振蕩判斷薄膜生長(zhǎng)的機(jī)理。其強(qiáng)度振蕩可由彈性散射模型進(jìn)行解釋。

Pascal生產(chǎn)的Laser MBE系統(tǒng)具有如下的優(yōu)勢(shì)
1. 靶源易蒸發(fā)。即使是高熔點(diǎn)的材料,如氧化物,也很容易蒸發(fā)。
2. 化學(xué)計(jì)量比準(zhǔn)確。沉積的薄膜和靶材的化學(xué)組分幾乎一樣。
3. 污染少。
4. 激光脈沖的重復(fù)頻率可進(jìn)行薄膜厚度/生長(zhǎng)速率的數(shù)字式或非連續(xù)性控制。
5. 差分抽氣結(jié)構(gòu),可在非常寬的氣壓范圍內(nèi)工作。
6. 靶材的交換簡(jiǎn)單快捷,有利于實(shí)現(xiàn)異質(zhì)外延和多層結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)。
7. 結(jié)構(gòu)緊湊,含有許多的技術(shù),如襯底加熱和樣品或靶材的進(jìn)樣-自鎖交換裝置等。

用于材料科學(xué)的組合(Combinatorial)技術(shù)
一次合成一個(gè)樣品,該樣品描寫(xiě)了不同合成條件的組合結(jié)果,然后進(jìn)行篩選產(chǎn)品,這整個(gè)過(guò)程是一種組合化學(xué)"(Combinatorial Chemistry)。目前,這種技術(shù)在醫(yī)學(xué)或藥學(xué)的發(fā)展將顯得非常必要。而且,由此產(chǎn)生的研究結(jié)果正在呈指數(shù)上升。
為什么不在薄膜研究中引進(jìn)該方案呢?從方案的初始階段,我們就一直與學(xué)術(shù)界共同研發(fā)組合式PLD統(tǒng)"。我們豐富的經(jīng)驗(yàn)將有助于薄膜的研究和開(kāi)發(fā)。

應(yīng)用

1.藍(lán)光ZnO GaN 新材料研發(fā)
2.氧化物微奈米薄膜、STO 壓電薄膜
3.奈米磁性薄膜
4.超導(dǎo)體材料
5.高能材料
6.新組合材料 (Combinatorial Materials)

新型薄膜和器件方面的應(yīng)用

我們?cè)O(shè)計(jì)的生長(zhǎng)系統(tǒng)可用于多種薄膜的生長(zhǎng),包括GaN、有機(jī)薄膜以及結(jié)型器件的制備,如金剛石、富勒烯球碳和含有氧化物的Si結(jié)型器件等。


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