平行板電容式PECVD 參考價：面議
平行板電容式PECVD是一種用等離子體激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。等離子體化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電...
球形脈沖激光沉積系統（PLD） 參考價：面議
該系統為球形脈沖激光沉積系統（PLD）工藝研發設備。脈沖激光沉積 （Pulsed laser deposition, PLD），就是將激光聚焦于靶材上一個較小的...
高真空三溫區CVD系統OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV 參考價：面議
高真空三溫區CVD系統OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV是由九通道質量流量控制器和高真空機組組成的CVD系統，其爐管直徑為4″，Z高溫度可達1200℃，極限真...
快速升溫CVD系統RTP-1000-F3LV 參考價：面議
快速升溫CVD系統RTP-1000-F3LV是專為半導體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達3″ ）的退火而設計，配有3路流量計和機械泵。本機采用 9KW的紅外...
開啟式單溫區低真空CVD系統OTF-1200X-F3LV 參考價：面議
開啟式單溫區低真空CVD系統OTF-1200X-F3LV是由開啟式單溫區管式爐、機械泵、三通道浮子混氣系統組成，可為CVD或擴散實驗提供1-3種的混合氣體，真空...
高真空CVD系統OTF-1200X-80-C2HV 參考價：面議
高真空CVD系統OTF-1200X-80-C2HV是由單溫區管式爐、兩路質子混氣系統和高真空機組組成，Z高工作溫度可達1200℃，混氣系統可以對兩種氣體進行精確...
1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統 OTF-1200X-4-C4LV 參考價：面議
1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統OTF-1200X-4-C4LV是專門為在金屬箔表面生長薄膜而設計的，特別是應用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究...
高真空快速CVD系統OTF-1200X-4-RTP-C3HV 參考價：面議
高真空快速CVD系統OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP爐、三通道混氣系統和高真空機組組成，可進行半導體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達3...
帶滑動法蘭三溫區CVD系統OTF-1200X-5-III-F3LV 參考價：面議
帶滑動法蘭三溫區CVD系統OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加熱至1200℃，并通過調整三個溫區而建立不同梯度的熱場，可進行退火、擴散、在不同氣氛...
4路質子混氣管式PECVD系統 參考價：面議
4路質子混氣管式PECVD系統是為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，環境溫度在100-300℃，但反應氣體在輝光放電等離子體中能...
1700℃單溫區三通道混氣CVD系統GSL-1700X-F3LV 參考價：面議
1700℃單溫區三通道混氣CVD系統GSL-1700X-F3LV是由單溫區管式爐、三路浮子混氣系統和雙旋片式真空泵組成，Z高工作溫度可達1700℃，混氣系統可以...
1700℃兩通道混氣高真空CVD系統GSL-1700X-4-C2HV 參考價：面議
1700℃兩通道混氣高真空CVD系統GSL-1700X-4-C2HV是由單溫區管式爐、兩路質子混氣系統和高真空機組組成，Z高工作溫度可達1600℃，混氣系統可以...
微型PECVD系統 參考價：面議
微型PECVD系統采用Φ 3“ × 16“ 的石英腔體，內部設有加熱圈對樣品進行加熱，Z高溫度可以達到400℃，且采用程序化控溫，系統還配有2...
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