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電化學EC-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。
電化學ECV剖面濃度測試儀主要用于半導體材料的研究及開發，其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發展半導體光-電化學濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。CVP21電化學C-V剖面濃度測量儀適用于評估和控制在半導體生產中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上，例如：硅、鍺、III-V族化合物半導體(如GaN)。