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在霍爾效應傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間詳情介紹?我公...

在霍爾效應傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間

霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數RH與?電導率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱?。其表達式為μH =│RH│σ。?12定義和計...

霍爾遷移率測試儀主要利用微波測試原理，非接觸式測量射頻HEMT結構半導體材料的方阻、遷移率及載流子濃度。可實現單點測試，亦可以實現面掃描的測試功能，具有快速，無...