1、指針表讀取精度較差，但指針擺動的過程比較直觀，其擺動速度幅度有時也能比較客觀地反映了被測量的大小（比如測電視機數據總線（SDL）在傳送數據時的輕微抖動）；數字表讀數直觀，但數字變化的過程看起來很雜亂，不太容易觀看。
2、指針表內一般有兩塊電池，一塊低電壓的1.5V，一塊是高電壓的9V或15V，其黑表筆相對紅表筆來說是正端。數字表則常用一塊6V或9V的電池。在電阻檔，指針表的表筆輸出電流相對數字表來說要大很多，用R×1Ω檔可以使揚聲器發出響亮的“噠"聲，用R×10kΩ檔甚至可以點亮發光二極管（LED）。
3、在電壓檔，指針表內阻相對數字表來說比較小，測量精度相比較差。某些高電壓微電流的場合甚至無法測準，因為其內阻會對被測電路造成影響（比如在測電視機顯像管的加速級電壓時測量值會比實際值低很多）。數字表電壓檔的內阻很大，至少在兆歐級，對被測電路影響很小。但*的輸出阻抗使其易受感應電壓的影響，在一些電磁干擾比較強的場合測出的數據可能是虛的。
4、總之，在相對來說大電流高電壓的模擬電路測量中適用指針表，比如電視機、音響功放。在低電壓小電流的數字電路測量中適用數字表，比如BP機、手機等。不是絕對的，可根據情況選用指針表和數字表。
如不作說明，則指用的是指針表：
1、測喇叭、耳機、動圈式話筒：用R×1Ω檔，任一表筆接一端，另一表筆點觸另一端，正常時會發出清脆響量的“噠"聲。如果不響，則是線圈斷了，如果響聲小而尖，則是有擦圈問題，也不能用。
2、測電容：用電阻檔，根據電容容量選擇適當的量程，并注意測量時對于電解電容黑表筆要接電容正極。①、估測微波法級電容容量的大小：可憑經驗或參照相同容量的標準電容，根據指針擺動的最大幅度來判定。所參照的電容不必耐壓值也一樣，只要容量相同即可，例如估測一個100μF/250V的電容可用一個100μF/25V的電容來參照，只要它們指針擺動最大幅度一樣，即可斷定容量一樣。②、估測皮法級電容容量大小：要用R×10kΩ檔，但只能測到1000pF以上的電容。對1000pF或稍大一點的電容，只要表針稍有擺動，即可認為容量夠了。③、測電容是否漏電：對一千微法以上的電容，可先用R×10Ω檔將其快速充電，并初步估測電容容量，然后改到R×1kΩ檔繼續測一會兒，這時指針不應回返，而應停在或十分接近∞處，否則就是有漏電現象。對一些幾十微法以下的定時或振蕩電容（比如彩電開關電源的振蕩電容），對其漏電特性要求非常高，只要稍有漏電就不能用，這時可在R×1kΩ檔充完電后再改用R×10kΩ檔繼續測量，同樣表針應停在∞處而不應回返。
3、在路測二極管、三極管、穩壓管好壞：因為在實際電路中，三極管的偏置電阻或二極管、穩壓管的周邊電阻一般都比較大，大都在幾百幾千歐姆以上，這樣，我們就可以用萬用表的R×10Ω或R×1Ω檔來在路測量PN結的好壞。在路測量時，用R×10Ω檔測PN結應有較明顯的正反向特性（如果正反向電阻相差不太明顯，可改用R×1Ω檔來測），一般正向電阻在R×10Ω檔測時表針應指示在200Ω左右，在R×1Ω檔測時表針應指示在30Ω左右（根據不同表型可能略有出入）。如果測量結果正向阻值太大或反向阻值太小，都說明這個PN結有問題，這個管子也就有問題了。這種方法對于維修時特別有效，可以非常快速地找出壞管，甚至可以測出尚未*壞掉但特性變壞的管子。比如當你用小阻值檔測量某個PN結正向電阻過大，如果你把它焊下來用常用的R×1kΩ檔再測，可能還是正常的，其實這個管子的特性已經變壞了，不能正常工作或不穩定了。
4、測電阻：重要的是要選好量程，當指針指示于1/3～2/3滿量程時測量精度最高，讀數最準確。要注意的是，在用R×10k電阻檔測兆歐級的大阻值電阻時，不可將手指捏在電阻兩端，這樣人體電阻會使測量結果偏小。 對于常見的進口型號的大功率塑封管，其c極基本都是在中間（我還沒見過b在中間的）。中、小功率管有的b極可能在中間。比如常用的9014三極管及其系列的其它型號三極管、2SC1815、2N5401、2N5551等三極管，其b極有的在就中間。當然它們也有c極在中間的。所以在維修更換三極管時，尤其是這些小功率三極管，不可拿來就按原樣直接安上，一定要先測一下。
僅用萬用表作為檢測工具的集成電路的檢測方法
編者按：雖說集成電路代換有方，但拆卸畢竟較麻煩。因此，在拆之前應確切判斷集成電路是否確實已損壞及損壞的程度，避免盲目拆卸。本文介紹了僅用萬用表作為檢測工具的不在路和在路檢測集成電路的方法和注意事項。文中所述在路檢測的四種方法（直流電阻、電壓、交流電壓和總電流的測量）是業余維修中實用且常用的檢測法。這里，也希望大家提供其他實用的（集成電路和元器件）判別檢測經驗。
不在路檢測
這種方法是在IC未焊入電路時進行的，一般情況下可用萬用表測量各引腳對應于接地引腳之間的正、反向電阻值，并和完好的IC進行比較。
在路檢測
這是一種通過萬用表檢測IC各引腳在路（IC在電路中）直流電阻、對地交直流電壓以及總工作電流的檢測方法。這種方法克服了代換試驗法需要有可代換IC的局限性和拆卸IC的麻煩，是檢測IC和實用的方法。
1．在路直流電阻檢測法
這是一種用萬用表歐姆擋，直接在線路板上測量IC各引腳和外圍元件的正反向直流電阻值，并與正常數據相比較，來發現和確定故障的方法。測量時要注意以下三點：
(1)測量前要先斷開電源，以免測試時損壞電表和元件。
(2)萬用表電阻擋的內部電壓不得大于6V，量程最好用R×100或R×1k擋。
(3)測量IC引腳參數時，要注意測量條件，如被測機型、與IC相關的電位器的滑動臂位置等，還要考慮外圍電路元件的好壞。
2．直流工作電壓測量法
這是一種在通電情況下，用萬用表直流電壓擋對直流供電電壓、外圍元件的工作電壓進行測量；檢測IC各引腳對地直流電壓值，并與正常值相比較，進而壓縮故障范圍，找出損壞的元件。測量時要注意以下八點：
(1)萬用表要有足夠大的內阻，至少要大于被測電路電阻的10倍以上，以免造成較大的測量誤差。
(2)通常把各電位器旋到中間位置，如果是電視機，信號源要采用標準彩條信號發生器。
(3)表筆或探頭要采取防滑措施。因任何瞬間短路都容易損壞IC。可采取如下方法防止表筆滑動：取一段自行車用氣門芯套在表筆尖上，并長出表筆尖約0．5mm左右，這既能使表筆尖良好地與被測試點接觸，又能有效防止打滑，即使碰上鄰近點也不會短路。
(4)當測得某一引腳電壓與正常值不符時，應根據該引腳電壓對IC正常工作有無重要影響以及其他引腳電壓的相應變化進行分析，才能判斷IC的好壞。
(5)IC引腳電壓會受外圍元器件影響。當外圍元器件發生漏電、短路、開路或變值時，或外圍電路連接的是一個阻值可變的電位器，則電位器滑動臂所處的位置不同，都會使引腳電壓發生變化。
(6)若IC各引腳電壓正常，則一般認為IC正常；若IC部分引腳電壓異常，則應從偏離正常值最大處入手，檢查外圍元件有*，若*，則IC很可能損壞。
(7)對于動態接收裝置，如電視機，在有無信號時，IC各引腳電壓是不同的。如發現引腳電壓不該變化的反而變化大，該隨信號大小和可調元件不同位置而變化的反而不變化，就可確定IC損壞。
(8)對于多種工作方式的裝置，如錄像機，在不同工作方式下，IC各引腳電壓也是不同的。
3．交流工作電壓測量法
為了掌握IC交流信號的變化情況，可以用帶有dB插孔的萬用表對IC的交流工作電壓進行近似測量。檢測時萬用表置于交流電壓擋，正表筆插入dB插孔；對于無dB插孔的萬用表，需要在正表筆串接一只0．1～0．5μF隔直電容。該法適用于工作頻率比較低的IC，如電視機的視頻放大級、場掃描電路等。由于這些電路的固有頻率不同，波形不同，所以所測的數據是近似值，只能供參考。
4．總電流測量法
該法是通過檢測IC電源進線的總電流，來判斷IC好壞的一種方法。由于IC內部絕大多數為直接耦合，IC損壞時（如某一個PN結擊穿或開路）會引起后級飽和與截止，使總電流發生變化。所以通過測量總電流的方法可以判斷IC的好壞。也可用測量電源通路中電阻的電壓降，用歐姆定律計算出總電流值。
以上檢測方法，各有利弊，在實際應用中最好將各種方法結合起來，靈活運用。
如何借助萬用表檢測可控硅
單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。
1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。
2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。
對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調，重復上述步驟測一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發電壓（或電流）小。
若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發電流太大或損壞。對于單向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。
對于雙向可控硅，閉合開關K，燈應發亮，斷開K，燈應不息滅。然后將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。
