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TLP 測(cè)試儀的檢測(cè)原理及檢測(cè)目的
2021-12-20 閱讀(5243)
TLP 測(cè)試儀的檢測(cè)原理及檢測(cè)目的
一、TLP的目的
TLP是Transmission Line Pulse的縮寫，當(dāng)存儲(chǔ)在同軸電纜中的電荷被發(fā)射時(shí)，得到方波。
該特性可用于調(diào)查IC的保護(hù)電路特性。
重要的一點(diǎn)是方波的上升時(shí)間。保護(hù)電路的特性隨上升時(shí)間的變化而變化。因此，作為該器件的一個(gè)點(diǎn)，可以將上升時(shí)間從高速變?yōu)榈退偈呛苤匾摹?/span>
作為目標(biāo)上升，希望實(shí)現(xiàn)比200ps更快的高速上升。
2.TLP理論
TLP 波形采集方法 TLP 波形采集方法
主要有三種。
(1) TDR (Time Domain Refraction )
使用DUT反射的波形的方法
(2) TDT (Time Domain Transmission)
如何確定通過(guò)DUT的波形
(3) TDTR (Time Domain Transmission and Refraction) )
以上兩種類型都使用。
圖 1 顯示了 TDR 方法。
電壓波形通過(guò)在放電通路上直接連接示波器來(lái)確認(rèn)，電流波形通過(guò)在放電通路上插入電流探頭來(lái)確認(rèn)。
在 TDT 方法中，圖 1 中的示波器和 DUT 的位置是相反的。
在TLP測(cè)試中，可以通過(guò)使用濾波器來(lái)改變上升時(shí)間，但脈沖寬度取決于充電同軸電纜的長(zhǎng)度。
圖 2 顯示了 TLP 的電路配置。
T=2 L1/VT為脈寬（ns），L1為同軸電纜長(zhǎng)度（mm）
V=2.0×10^8m/s（例）當(dāng)L1=20（m）T=200（ns）
圖 3 是入射到 DUT 并被*消耗時(shí)的波形，可以用圖 2 中的電壓表（示波器）確認(rèn)。
考慮到L2長(zhǎng)10mm、DUT短的情況，分別確認(rèn)入射波和反射波時(shí)的波形如圖4左圖所示。
可以用電壓表確認(rèn)的波形如圖4右側(cè)所示。
同樣，可以用電流表（電流探頭）確認(rèn)的波形如圖 5 右側(cè)所示。
TLP測(cè)試儀陣容
它是一種模擬保護(hù)電路工作特性的裝置。
它對(duì)于收集和分析內(nèi)置于集成電路中的保護(hù)電路的工作參數(shù)非常有用。
VFTLP 測(cè)試也是可能的。
| 產(chǎn)品名稱/型號(hào) | 設(shè)備描述 | 目錄 | 電影 |
|---|---|---|---|
 HED-T5000 | 配備先進(jìn)的測(cè)試模式。我們有一個(gè)正常測(cè)試，應(yīng)用脈沖寬度為 100 ns / 200 ns，以及一個(gè) VFTLP（非常快速 TLP）測(cè)試模式，應(yīng)用寬度減少到 1 ns。 | 點(diǎn)擊 | |
 HED-T5000-HC | 目前，對(duì)高集成度、高頻率和高耐壓的器件的需求日益增加。 |
