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非接觸式:渦電流法測定-napson手持式渦流法電阻測量儀

2020-11-23  閱讀(3194)

在這里,我們將介紹非接觸式(渦流法)電阻測量原理的概況(該原理的詳細(xì)說明在材料中)。

(*在我們的產(chǎn)品中,根據(jù)電阻范圍,還有另一種非接觸式電阻測量方法系統(tǒng)。。此外,關(guān)于非接觸式測量原理,除了渦流方法外,但很抱歉給您帶來麻煩請聯(lián)系我們)

 

渦流法主要用于非接觸式,可測量1E-3(1m)至1E + 4(10k)Ω/□電阻范圍。

它可用于半導(dǎo)體,化合物半導(dǎo)體,液晶和新型碳基材料等廣泛領(lǐng)域的測量。

渦流測量系統(tǒng)使用電磁感應(yīng)產(chǎn)生的渦流來測量電阻。

非接觸式測量探頭單元的探頭芯(磁性材料)在兩側(cè)(上下)以一定的間隙排列。

 

<非接觸式測量探頭單元的結(jié)構(gòu)>

●在渦流法中,按照以下步驟進(jìn)行測量。

(1)當(dāng)在探針芯之間施加高頻以產(chǎn)生磁通量并且插入樣本時(shí),樣本中產(chǎn)生渦流。

(2)此時(shí),(1)渦電流流過樣品→(2)樣品中消耗了電流,發(fā)生了功率損耗。

 →③電路中的電流成比例降低。檢測該減小的電流值。

(3)由于檢測到的電流值與樣品的電阻成反比關(guān)系,請使用此值。

 座電阻或電阻是從電流值和座電阻的校準(zhǔn)曲線(計(jì)算公式)得出的。

  (*計(jì)算電阻時(shí)需要樣品厚度信息)

 

 

日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀

 

 

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯(lián)系)

測量尺寸

無論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

 

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總范圍)

 

*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯(lián)系)

測量尺寸

無論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

 

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總范圍)

 

*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀



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