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納米薄膜的制備方法
閱讀：2042 發布時間：2016-7-20
納米薄膜的制備方法
針對有機半導體粉料和金屬粉料蒸發溫度低的特點,設計并制作了新型低溫輻射式薄膜加熱蒸發器,通過對有機粉料的蒸發及濺射時樣片襯底的加熱實驗,取得了良好效果,通過觀測裝置,可以觀測到,薄膜監控測厚儀未能反映出的10納米薄膜厚度。其制作成本低,加熱效率高,同時又提高了設備功效;是一種多功能輻射式加熱器,在物理教學和相關的科研生產中有著廣泛的應用前景。在真空中使固體表面(基片)上沉積一層金屬、半導體或介質薄膜的工藝通常稱為真空鍍膜。早在19世紀,英國的Grove和德國的Plucker相繼在氣體放電實驗的輝光放電壁上觀察到了濺射的金屬薄膜,這就是真空鍍膜的萌芽。后于1877年將金屬濺射用于鏡子的生產;1930年左右將它用于Edison唱機錄音蠟主盤上的導電金屬。以后的30年,高真空蒸發鍍膜又得到了飛速發展,這時已能在實驗室只制造單層反射膜、單層減反膜和單層分光膜,并且在1939年由德國的Schott等人鍍制出金屬的Fairy-Perot干涉濾波片,1952年又做出了高峰值、窄寬度的全介質干涉濾波片。真空鍍膜技術歷經一個多世紀的發展,目前已廣泛用于電子、光學、磁學、半導體、無線電及材料科學等領域,成為一種*的新技術、新手段、新方法。
液相法
(a) 溶膠-凝膠法．該方法制備納米薄膜的基本步驟如下：首先用金屬無機鹽或有機金屬化合
物制備溶膠，然后將襯底(如SiO2玻璃襯底等)浸入溶膠后以一定速度進行提拉，結果溶膠附著在襯底上，經一定溫加熱后即得到納米微粒的膜．膜的厚度控制可通過提拉次數來控制。
液相法
(b) 電沉積法．一般Ⅱ-Ⅵ族半導體薄膜可用此法制備。
氣相法
- 高速超微粒子沉積法(氣體沉積法)．基本原理是用蒸發或濺射等方法獲得基本原理是：用蒸發或濺射等方法獲得超微粒子，用一定氣壓的惰性氣體作載流氣體，通過噴嘴，在基板上沉積成膜．
- 直接沉積法是當前制備納米薄膜普遍采用的方法，?基本原理：把納米粒子直接沉淀在低溫基片上．制備方法主要有三種：惰性氣體蒸發法、等離子濺射法和輝光放電等離子誘導化學氣相沉積法．基片的位置、氣體的壓強、沉淀速率和基片溫度是影響納米膜質量的重要因素．