晶體電光效應實驗儀指標

時間：2019/6/13閱讀：572

晶體的電光效應物理光學晶體電光效應實驗儀型號：HAD-F-JTDG1110

實驗內容及相關科目：

　　觀察會聚偏振光經過LiNbO3晶體后形成的干涉圖形，比較不同電壓條件下的差異，理解單軸晶體與雙軸晶體的區別。

　　觀察在不同電壓條件下的輸出光的偏振態，理解泡克耳斯效應的作用機理。

　　測量半波電壓，確定Δn與E的線性關系，繪出光的調制曲線。

　　用正弦電信號對晶體進行調制，實現電信號的光傳輸，理解工作點對調制、傳輸過程的影響。

　　外加音頻信號，實驗音頻信號的光傳輸以重現，了解光通訊中信號外調制的原理和方法。

　　儀器特點：

　　采用半導體激光器作為光源（650nm4mW）。

　　晶體的通光面積為5×5mm2

　　大驅動電壓Vmax1600V使現象更加清晰、完整。

　　可觀察在電場作用下LN晶體由一個單軸晶體變化為雙軸晶體的過程。

　　設備成套性：

　　光學實驗導軌、半導體激光器、擴束鏡、起偏器、檢偏器、1/4波片、LN晶體附件（含三維調整架）、激光功率指示計、音頻信號源、示波器（自備）等。

　　指標

　　光學實驗導軌800mm。

　　實驗主機大驅動電壓Vmax1600V

　　半導體激光器650nm, 4mW。

　　LN晶體附件，三維可調，通光面積：5*5mm2。

　　二維可調光電二極管探頭：調整范圍:±2.5mm.

　　二維可調擴束鏡：25倍，調制范圍：±2.5mm.

　　激光功率指示計：三位半數字表頭，量程：200μW, 2mW, 20mW, 200mW，可調檔。小分辨率0.1u W。

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