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新代高性能激光浮區法單晶爐-LFZ
| Quantum Design Japan公司推出的激光浮區法單晶生長系統傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的進設計理念，新代高性能激光浮區爐（型號：LFZ-2kW）具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩定的性能，將浮區法晶體生長技術推向個全新的高度！ 應用域 可廣泛用于凝聚態物理、化學、半導體、光學等多種學科域相關單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等常規浮區法單晶爐難以勝任的單晶生長工作。 |
激光浮區法單晶生長系統可廣泛用于凝聚態物理、化學、半導體、光學等多種學科域相關單晶材料制備，尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點材料及高熱導率材料等常規浮區法單晶爐難以勝任的單晶生長工作，跟傳統的激光浮區法單晶生長系統相比，Quantum Design公司推出的新代激光浮區法單晶爐系統具有以下技術勢：
● 采用全新五束激光設計，確保熔區能量分布更加均勻
● 更加科學的激光光斑化方案，有助于降低晶體生長過程中的熱應力
● 采用了*的實時溫度集成控制系統
RIKEN（CEMS）設計的五束激光發生器原型機實物
新代激光浮區法單晶爐系統主要技術參數：
| 加熱控制 | 加熱類型 | 5束激光 |
| 激光功率 | 2KW、1.5KW兩種規格可選 | |
| 熔區溫度 | 2600℃ ~ 3000℃* | |
| 晶體生長控制 | 晶體生長大設計長度 | 150mm* |
| 晶體生長大設計直徑 | 8mm* | |
| 晶體生長大速度/轉速 | 300mm/hr; 100rpm | |
| 樣品腔可施加大壓力 | 10bar | |
| 樣品腔氣氛 | 多種氣路（O2/Ar/混合氣等）可供選配 | |
| 晶體生長監控 | 高清攝像頭 | |
| 晶體生長控制 | PC控制 |
*具體取決于材料及實驗條件
應用案例
采用新代激光浮區法單晶爐系統生長出的部分單晶體應用案例：
Ruby |
Dy2Ti2O7 |
BaTiO3 |
Sr2RuO4 |
SmB6 |
Ba2Co2Fe12O22 |
Y3Fe5O12 |
* 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供
用戶單位
東京大學
日本國立材料研究所
