射頻磁控濺射鍍膜裝置 型號：MHY-13452
主要用途：本設備主要用于大院校研究和開發納米單層膜；如各種硬質膜、金屬膜；也可以是非金屬、化合物等薄膜材料。可以行直接濺射，亦可以實現反應濺射。
主要點：結構簡捷、操作簡便，真空度維護，安可靠。
鍍膜機應安裝在干凈無塵埃、無腐蝕性氣體的室內，并具備清潔水源、及220V的穩定電壓等條件的地方。
1、地面的基本水平度要經過調整，不得低不平；
2、環境溫度：10℃～30℃；
3、相對濕度：不大于75%；
4、耗水量（水溫度≤25℃，2.5Kg≥水壓≥1.5Kg）：約0.2T/h；
5、水質要求：
矽酸硬度<6度，PH值：7－8，電導率：200us/cm,沉積率：<200mg/L。
6、電壓： 220V，50HZ，
電壓波動范圍： 198～231V；
頻率波動范圍：49～51Hz;
7、水壓：0.3～1Kg/cm2或0.03～0.1MPa/cm2;
8、充入氣體純度99.9%或以上;
9、鍍膜用耗材純度99.9%或以上。
設備規格參數
1.1、濺射處理室：
1、鐘罩：內徑225mm×度260mm；
2、試樣臺：直徑80mm（zui大）；
3、試樣旋轉：靜止；
4、擋板：手動；
5、襯底加熱器：不銹鋼加熱器（DC24V）；
6、襯底溫度范圍：室溫～200℃；
7、襯底可調距離：20mm～60mm；
8、濺射室限真空：0.5Pa
1.2、真空系統：
1、抽氣系統：由機械泵組成的真空系統；抽氣速率：4升/S
2、真空檢測：電阻真空計、電阻規；
3、常用真空度：1～20Pa
4、操作：手動
1.3、濺射電源：
1、射頻電源：頻率13.560MHZ,率：500W，用表示；
2、阻抗匹配器范圍：（2.7～45）Ω-j（0～70）Ω；
3、供電：AC 220V；
4、冷卻方式：風冷；
1.4、 磁控靶：
1、靶材直徑：Ф50mm、 個磁靶；
2、靶材厚度：3～6mm；
1.5、氣系統：2路轉子量計氣，
1.6、電源要求：AC 220V 50Hz 10A
1.7、氣體要求：氬氣--純度99.9%(樣品有殊要求時使用純)
1.8、冷卻要求：靶體水冷，濺射電源風冷
1.9、體積重量：體積：L550mm×W680mm×H1480mm；約120kg
