- 實驗項目:1.模擬法測繪靜電場;2.亥姆霍茲線圈磁場測量;3.線圈的磁場描繪;規格參數:采用導阻微晶雙層結構:200*90mm;描繪平臺:200*200*4mm電極板可自由更換;激光描點:激光電源功率2mw,波長625nm,工時大于2萬小時;鍍金彈性探頭,接觸電阻小;鍍金電極;電阻微晶介質:125*125*0.2mm;電極板基材:200*150*3mm;電壓輸出:DC 0-12V連續可調,數顯精度0.01V,短路保護;電極板:同軸電纜、平行板電容;坐標平臺:270*270mm;亥姆霍茲線圈:R=85×10-3m,a=85×10-3m,N=230匝;恒流源:0-500mA;霍耳集成電路磁場強度探測器:靈敏度K=12.0mV/mT;數顯感應電動勢測量:0-19.99mv;電壓測量:0-19.99V、0-199.9mV三位半數顯;
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