濕法腐蝕自停止技術是半導體制造中核心的一環，它確保了微結構制備的精確性和可靠性。隨著技術的不斷進步，有更多創新方法涌現，那我們就看推薦幾個常見的方法：

利用摻雜濃度差實現自停止

原理：在硅材料中進行離子注入等摻雜工藝，使特定區域的摻雜濃度與周圍材料形成明顯差異。當濕法腐蝕進行到摻雜區域時，由于摻雜改變了材料的電學性能和化學活性，腐蝕速率會發生顯著變化，從而實現腐蝕的自動停止。例如，高劑量的硼注入硅或多晶硅中并退火后，可形成合適的摻雜硅，這些摻雜的襯底可以作為某些各向同性和各向異性腐蝕劑的有效自停止層。

應用案例：在 MEMS 電容式壓力傳感器、平面硅電容器和 RF MEMS 開關等器件制造中，常采用離子注入技術形成摻雜自停止層來控制腐蝕深度。

基于材料特性的自停止

原理：選擇具有特定腐蝕特性的材料組合，其中一種材料在腐蝕液中的腐蝕速率極慢或幾乎不被腐蝕，當腐蝕到達該材料時，腐蝕過程就會自然停止。例如，在硅的濕法腐蝕中，一些金屬或介質材料（如二氧化硅、氮化硅等）對常用的腐蝕液具有較高的抗腐蝕性，可作為腐蝕停止層。

應用案例：在體硅加工工藝中，若在硅片上沉積了一層二氧化硅或氮化硅薄膜，當濕法腐蝕硅時，腐蝕到這層薄膜就會停止。這種技術常用于微機電系統（MEMS）器件的制造，以精確控制結構的尺寸和形狀。

電化學腐蝕自停止

原理：通過施加外部電場來控制腐蝕反應的進行，當腐蝕達到預設的條件（如特定的電位、電流密度等）時，改變電場方向或強度，使腐蝕反應停止。這種方法需要特殊的設備和精確的電化學控制系統，但可以實現高精度的腐蝕深度控制。

應用案例：在一些高精度的半導體器件制造中，電化學腐蝕自停止技術可用于制備納米尺度的結構或對腐蝕深度有嚴格要求的部位。