原裝新品：日本ORC臭氧發生器ARV-O3ME

原裝新品：日本ORC臭氧發生器ARV-O3ME

兼容多種應用：可兼容 WL-CSP、IGBT、CIS 等 6/8/12 英寸光刻技術，適用于多種半導體制造場景。

寬頻譜光刻：具備寬帶曝光功能，可根據配方自動切換 GHI 線、GH 線、I 線，滿足不同光刻工藝對波長的需求。

可變數值孔徑：搭載可變 NA 功能，數值孔徑可在 0.16 和 0.1 之間變化，能夠根據不同的光刻精度要求進行調整。

多場拼接設計：最多支持 8 場光罩設計格式，可實現較大面積的光刻圖案制作。

光學系統保護：能保護光學元件免受周圍環境中的阻滯氣體和化學物質的影響，提高設備的穩定性和使用壽命。

主要參數：晶圓尺寸為 6/8/12 英寸，分辨率為 2.0μmL/s（2.0μm 抗蝕劑厚度），減速比為 1:1，字段大小為 52 毫米 ×33 毫米，光罩尺寸為 6 寸，疊加精度≦0.5 微米（|Ave|+3σ）。

工作原理：利用特定光源發出的光，通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的硅片進行曝光，光刻膠見光后發生性質變化，從而將光罩上的圖形復印到硅片上，使硅片具備電子線路圖的功能。

核心系統：光源系統：是光刻機的核心之一，其波長直接決定光刻精度。早期采用汞燈，如 g - line（436nm）和 i - line（365nm），可滿足 800 - 250nm 制程芯片生產。之后準分子激光光源興起，如第三代光刻機用 248nm 的 KrF 準分子激光，可用于 180 - 130nm 工藝節點；第四代用 193nm 的 ArF 準分子激光，配合浸沒式技術、雙圖形技術等，可應用于 10nm 節點量產。目前的是采用 13.5nm 極紫外光（EUV）的第五代光刻機。

光刻物鏡系統：保證光源精準成像在晶圓表面的關鍵組件。隨著技術發展，投影物鏡結構更復雜、尺寸增大，工作波長多處于紫外波段，如 KrF（248nm）、ArF（193nm）和 EUV（13.5nm）。

雙工作臺系統：由測量臺與曝光臺組成，一個工作臺曝光時，另一個可進行晶圓的裝載、卸載和對準等操作，提高了光刻機的產能。