功能特點
■ 可以實現高溫、真空、氣氛等條件下測量薄膜方塊電阻;
■ 可以實現常溫,變溫,恒溫條件的 I-V、R-T、R-t等測量功能;
■ 可以通過輸入樣品的面積和厚度,軟件自動計算樣品的電阻率ρv;
■ 可以分析電阻率ρv與溫度T的變化的曲線;
■ 可以與Keithley 2400或2600數字多用表配套;
為了更方便的研究高溫條件下半導體或***緣材料的導電性能,佰力博科技已經研發出HRMS-800G高溫四探針測量系統,該系統可以測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃(ITO)和其它導電薄膜的方塊電阻,,該設備按照單晶硅物理測試方法***家標準并參考美*** A.S.T.M 標準而設計的,于變溫、真空及氣氛條件下測試半導體材料電學性能的佳測量系統。
■ 技術規格
溫度范圍:室溫-600°C | 升溫斜率:3°C /min (典型值) |
顯示精度:±0.1°C | 控溫精度:±1°C |
電阻:10~106 Ω | 電阻率:10~106Ω.cm |
方塊電阻:10~106 Ω/□ | 可測半導體材料尺寸 :薄膜直徑: Φ15~30mm |
探針間距:2±0.01mm | 探針壓力: 0~2kg可調,大壓力約2kg |
針間***緣材料:99陶瓷或紅寶石 | 針間***緣電阻:≥1000MΩ |
探針材料:碳化鎢 | 數據傳輸:2個USB接口 |