聯(lián)系電話
深圳市京都玉崎電子有限公司
中級(jí)會(huì)員·3年
- 聯(lián)系人：
- 袁蘭香
- 電話：
- 13717032088
- 手機(jī)：
- 13717032088
- 傳真：
- 86-755-28578000
- 地址：
- 龍華新區(qū)梅龍大道906號(hào)創(chuàng)業(yè)樓
- 個(gè)性化：
- www.cucudi.com
- 網(wǎng)址：
- www.tamasaki.cn
掃一掃訪問(wèn)手機(jī)商鋪
-
光電傳感器，通常包含很多光學(xué)元件，光束進(jìn)入傳感器后經(jīng)多次會(huì)聚，使探測(cè)器表面實(shí)際入射的能量密度，可以高達(dá)照射到傳感器表面能量密度的100萬(wàn)倍。這和角膜在視網(wǎng)膜上產(chǎn)生的能量密度增益屬同一量級(jí)。光電傳感器這樣設(shè)計(jì)的目的是為了提高靈敏度，以具備探測(cè)極微弱光的能力;不幸的是，這一特性使其成為極易受wu器傷害的目標(biāo)。由于光電傳感器對(duì)紅外輻射，或可見(jiàn)光，或?qū)Χ叨继貏e靈敏，因而就更加容易成為攻擊的目標(biāo)。此外，大多數(shù)傳感器在有限的波長(zhǎng)范圍內(nèi)工作，不同的傳感器有不同的工作波長(zhǎng)，一般來(lái)說(shuō)，傳感器工作波長(zhǎng)越長(zhǎng)，波長(zhǎng)范
-
高壓開(kāi)關(guān)柜是一種組合式電器，它可以集斷路器、負(fù)荷開(kāi)關(guān)、接觸器、隔離開(kāi)關(guān)、熔斷器、互感器、避雷器、電容器、母線以及相應(yīng)的測(cè)量裝置、信號(hào)裝置、連鎖裝置和通信系統(tǒng)等電氣設(shè)備于一個(gè)長(zhǎng)方柜的金屬外殼內(nèi)。高壓開(kāi)關(guān)柜主要劣化因素由于各種原因，運(yùn)行中的高壓開(kāi)關(guān)柜會(huì)隨著時(shí)間的推移發(fā)生劣化，并且時(shí)時(shí)影響著電網(wǎng)的安全。主要劣化因素有：（1）熱劣化。由于設(shè)備運(yùn)行中的溫度升高導(dǎo)致絕緣性能下降。（2）電劣化。絕緣材料的電場(chǎng)集中處會(huì)導(dǎo)致絕緣性能下降。（3）機(jī)械劣化。機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致的零件損壞、變形、龜裂和磨損等。（4）環(huán)境劣化。
-
在高頻開(kāi)關(guān)電源中，應(yīng)用壓電（Piezo-e1ectric）變壓器（簡(jiǎn)稱PET）可以使開(kāi)關(guān)電源實(shí)現(xiàn)輕、小、薄和高功率密度。例如，一臺(tái)DC/DC開(kāi)關(guān)電源中的PET，其DC/DC轉(zhuǎn)換器輸人為有源鉗位ZVS逆變電路，產(chǎn)生梯形波交流電，經(jīng)過(guò)PET輸出給整流濾波電路。這里應(yīng)指明的是，PET不屬于磁元件的范圍。壓電變壓器是利用壓電陶瓷材料te有的電壓一振動(dòng)轉(zhuǎn)換和振動(dòng)一電壓轉(zhuǎn)換的性質(zhì)傳送電能的，其等效電路如同一個(gè)串并聯(lián)諧振電路。它是功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一，研究的內(nèi)容包括：壓電材料的損耗評(píng)估、PET設(shè)計(jì)計(jì)算方
-
對(duì)于低電壓大電流輸出的開(kāi)關(guān)電源，進(jìn)一步提高其效率的措施是：在應(yīng)用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的基礎(chǔ)上，以功率MOS管反接作為整流用開(kāi)關(guān)二極管，稱為同步整流（SynchronousRectifier，SR），用皿代替肖特基二極管（SBD）可以降低整流管壓降，從而提高開(kāi)關(guān)電源的效率。有報(bào)道稱，應(yīng)用軟開(kāi)關(guān)和同步整流技術(shù)的小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)電源，48/12V模塊的效率可以達(dá)到96％、48％/5V模塊的效率可以達(dá)到92％～93％。日本在一臺(tái)100W的軟開(kāi)關(guān)（ZVS）開(kāi)關(guān)電源上試驗(yàn)的結(jié)果是，用SBD的開(kāi)關(guān)電源效率為8
-
1980年以前，開(kāi)關(guān)電源中PWMDC/DC轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率為20～50kHz，從1980年起，提高開(kāi)關(guān)頻率成為減少開(kāi)關(guān)電源尺寸的有效手段，同時(shí)也改善了開(kāi)關(guān)電源的動(dòng)態(tài)性能?，F(xiàn)在⒛0～500kHz已成為輸出100W以下開(kāi)關(guān)電源的標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)關(guān)頻率。特殊制造的小功率開(kāi)關(guān)電源，其開(kāi)關(guān)頻率已經(jīng)達(dá)到了幾兆赫。如表給出了20世紀(jì)70年代以后的30年，通信和計(jì)算機(jī)用開(kāi)關(guān)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器高功率密度的發(fā)展進(jìn)程?？梢?jiàn)，高頻化、高功率密度和高效率是開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展進(jìn)步的重要標(biāo)志。高效率和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)PWM開(kāi)關(guān)電源按硬開(kāi)關(guān)模
-
現(xiàn)階段市場(chǎng)上使用的塑料加工機(jī)械的加熱方式是的電熱圈發(fā)熱，再傳導(dǎo)到料筒上，存在熱傳導(dǎo)損失，并導(dǎo)致環(huán)境溫度上升。只有緊靠在料筒表面內(nèi)圈的熱量傳導(dǎo)到料筒上，而外圈的熱量大部分散失到空氣中，造成熱量的損失。而電磁加熱技術(shù)是使金屬料筒自身發(fā)熱，而且料筒外部又包裹著隔熱保溫材料，大大減少了熱傳導(dǎo)損失和熱量對(duì)空氣的散失，提高了熱效率，避免了環(huán)境溫度的上升，因此節(jié)電效果十分顯著，可達(dá)30％～75％，因此電磁加熱圈本身并不發(fā)熱，而且是采用陶瓷材料和高溫電纜制造，所以不存在原電熱圈的電阻絲在高溫狀態(tài)下氧化而縮短使用
-
在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕，是利用氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，通過(guò)經(jīng)光刻而開(kāi)出的掩蔽層窗口，與暴露于等離子體中的硅片行物理和化學(xué)反應(yīng)，刻蝕掉硅片上暴露的表面材料的一種工藝技術(shù)法[1]。該工藝技術(shù)的突出優(yōu)點(diǎn)在于，可以獲得極其精確的特征圖形。超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，要求微細(xì)化加工工藝能夠嚴(yán)格的控制加工尺寸，要求在硅片上完成極其精確的圖形轉(zhuǎn)移。任何偏離工藝要求的圖形或尺寸，都可能直接影響產(chǎn)品性能或品質(zhì)，給生產(chǎn)帶來(lái)無(wú)法彌補(bǔ)的損害。由于干法刻蝕技術(shù)在圖形軼移上的突出表現(xiàn)，己
-
刻蝕，是指用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程?？涛g的基本目的，是在涂膠(或有掩膜)的硅片上正確的復(fù)制出掩膜圖形?？涛g，通常是在光刻工藝之后進(jìn)行。我們通常通過(guò)刻蝕，在光刻工藝之后，將想要的圖形留在硅片上。從這一角度而言，刻蝕可以被稱之為最終的和最主要的圖形轉(zhuǎn)移工藝步驟。在通常的刻蝕過(guò)程中，有圖形的光刻膠層〔或掩膜層)將不受到腐蝕源顯著的侵蝕或刻蝕，可作為掩蔽膜，保護(hù)硅片上的部分特殊區(qū)域，而未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域，則被選擇性的刻蝕掉。
