聯系電話
深圳市京都玉崎電子有限公司
中級會員·3年
- 聯系人：
- 袁蘭香
- 電話：
- 13717032088
- 手機：
- 13717032088
- 傳真：
- 86-755-28578000
- 地址：
- 龍華新區梅龍大道906號創業樓
- 個性化：
- www.nihon17.com
- 網址：
- www.tamasaki.cn
掃一掃訪問手機商鋪
-
前言：電源作為消費性產品，漂亮的外包裝固然需要，但電源的核心作用在于提供穩定純凈的電力，內在的質量才是更應該關注的焦點。劣質電源不僅直接影響了電腦的正常的使用，對主板、顯卡等其它配件造成損害，而且這種電源所產生的電磁輻射，對人身健康也構成了潛在的威脅。一、開關電源的原理PC電源的基本作用就是將交流電網的電能轉換為適合各個配件使用的低壓直流電供給整機使用。ATX類電源總共有六路輸出，分別是+5V、-5V、+12V、-12V、+3.3V及+5Vsb。PC電源采用開關變換的技術，就是把交流電首先整流為
-
智能變電站(含電廠升壓站及AGC)是智能電網的重要基礎和支撐，智能變電站設備具有信息數字化、功能集成化、結構緊湊化、狀態可視化等主要技術特征，智能變電站系統應建立站內全景數據的統一信息平臺，供各子系統標準化、規范化存取訪問以及和智能電網調度等其它系統進行標準化交互。智能變電站應能放便地接入新能源、對二次設備進行運行狀態監測與管理、支撐各級電網的安全穩定經濟運行。智能變電站應滿足信息采集和測量功能要求、控制功能要求、狀態監測功能要求、保護功能要求、計量功能要求、通信功能要求、系統功能、性能要求、輔
-
雖然單個設備的待機損耗可能看起來微不足道，但是如果您將住宅數量與住宅中的家電數量及每臺家電待機消耗的數量相乘時，問題很快會凸顯出來。據國際能源機構估計，全球5-15%的家用電器消耗量均是在待機模式下產生的。在美國，每瓦電能的成本大約是每年1到1.5美元。美國勞倫斯伯克力國家實驗室(LawrenceBerkeleyNationalLab)估計，在美國家庭一年的電費中，待機損耗將會超過50億。根據美國能源部的報告，美國每年使用的待機電能相當于26座平均規模的電站的發電量！隨著家用電器的普及以及帶有電
-
當VCR、DVD以及手機充電器等電器設備插接在墻壁插座中時，即使這些產品處于閑置狀態，但卻仍然在消耗電能。消費者通常會認為他們的設備已經關機，而事實上，該設備只是處于待機狀態，仍然在消耗著功率。譬如，當您使用遙控器關閉VCR后，由于VCR內部的電源仍然處于接通狀態并為遙控接收器供電，因此VCR仍在待機或睡眠模式下耗費著電能。盡管遙控接收器消耗的功率微乎其微(大約0.1W)，但由于采用低效技術的電源(如線性電源)不夠智能，無法減少待機狀態下的功率消耗，結果往往會浪費幾瓦的功率。這就是我們所說的待機
-
注塑機維修工作的核心是故障的判斷和故障的處理。它涉及知識面廣，復雜程度大，具有一定的深度(如綜合專業知識水平)。既要有機械設備維修基礎知識，又要有液壓維修基礎知識，也要有電氣維修基礎知識。其實注塑機維修工作即艱辛，但又是不斷學習進取的過程，只要掌握注塑機的基本工作原理，掌握基本工作方法，不論各種機型，萬變不離其宗，都能探索出一套維修工作程序來，以保證注塑機正常工作運行。維修工作者首先必須了解和掌握注塑機的操作說明書中的內容，熟悉和掌握注塑機的機械部件、電路及油路，了解注塑機在正常工作時機械、電路
-
發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部分與多數載流子（多子）復合而發光，如圖1所示。假設發光是在P區中發生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發光，或者先被發光中心捕獲后，再與空穴復合發光。除了這種發光復合外，還有
-
干法刻蝕的工藝參數，一般指刻蝕條件中可以被調整的條件項目。即，刻蝕條件中的工藝氣體的流量、各工藝氣體之間的比例、腔體的壓力、腔體上下電極上設定的功率、下部電極的溫度(及腔壁的設定溫度)、終點檢測系統中檢測窗口的設定參數。通常我們利用工藝參數與刻蝕參數之間的關系，來制定可以滿足規格圖形需要的刻蝕條件。比如，對于一些尺寸規格較小的接觸孔圖形，在干法刻蝕的過程中，常會出現中途刻蝕停止的現象，這往往是由于反應聚合物在孔內側壁聚積引起的。由于接觸孔的孔徑較小，內壁上聚合物的堆積回阻止等離子自由活性激團進一
-
我們可以了解到干法刻蝕的主要過程。反應腔體內氣體等離子體中的離子，在反應腔體的扁壓作用下，對被刻蝕的表面進行轟擊，形成損傷層，從而加速了等離子中的自由活性激團在其表面的反應，經反應后產生的反應生成物，一部分被分子泵從腔體排氣口排出，一部分則在刻蝕的側壁上形成淀積層。干法刻蝕就是在自由活性激團與表面反應和反應生成物不斷淀積的過程中完成的。離子轟擊體現了干法刻蝕的異方性，而由于側壁的淀積，則很好的抑制了自由活性激團反應時，等方性作用對側壁的刻蝕[3]。正因為干法刻蝕這一物理反應和化學反應相結合的du
