19926496030
等離子體CVD裝置是進行化學氣相沉積法的一種的裝置。
等離子體CVD是Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition的縮寫，它將原料氣體轉變成低溫等離子體狀態（正離子和電子電離的輝光放電），產生活性離子和自由基，引起化學反應并沉積材料以形成薄膜。
等離子CVD技術用于制造切削工具用強化膜（氮化鈦、氮化碳、DLC（英文：Diamond Like Carbon））、半導體用絕緣膜、保護膜、布線及電極材料（氮化硅、氧化硅、銅、鋁、鎢、多晶硅、化合物半導體等）。它在控制和供應能源的高性能功率器件中的應用正在迅速擴大，這是經濟和工業發展的關鍵。
供給等離子體CVD裝置的氣體通常為與SiH 6)、WF硅烷(4氫氣、氮氣、氬氣、氨等載氣。
二氧化硅(SiO 2 )是硅的氧化物。它具有優異的電絕緣性和熱穩定性，用于半導體器件的層間介電膜。
隨著半導體變得越來越薄，漏電流（即電流從非預期位置泄漏）變得更有可能發生。 SiO 2的存在有助于防止漏電流。
氮化硅(Si 3 N 4 )是硅的氮化物。它具有優異的強度和導熱性，用作產生大量熱量的功率器件的基板材料。
氮氣和氨氣與SiH 4一起形成氮化物，因此也可作為原料氣體。一般半導體執行與計算和存儲相關的功能，例如存儲器。另一方面，功率器件（例如二極管）的用途是。
碳化硅 (SiC) 是一種碳化硅，與 GaN（氮化鎵）和 AlGaN一樣屬于化合物半導體家族。與Si 3 N 4一樣，它具有優異的強度和導熱性，因此代替Si IGBT用于功率器件。
與硅化合物相比，功率損耗更低，從而使設備更小。
晶體管的柵極由柵極氧化物（通過熱氧化形成）和柵電極（通常是多晶硅）形成。用于柵電極和源極/漏極接觸的鎢塞通過等離子體CVD形成。 （見圖3）
圖1. 等離子體CVD設備的基本配置
根據目的，原料氣體條件可以在10 -4 ～100Pa的大范圍的減壓范圍內進行選擇。等離子體激發常用的電源頻率是13.56 MHz（RF：射頻），放電形式采用平行板電極電容耦合，如圖1所示。
平行板的一側可以用作噴頭來供應工藝氣體，或者可以在一側安裝加熱器來調節溫度。可以控制的參數有很多，例如電源頻率、平行板型以外的電極結構、原料氣體成分、放電量、溫度等。因此，可以形成具有各種功能的各種薄膜，從無機物到有機物。
圖2. 半導體器件（存儲器）的基本結構
等離子體CDV設備通常用于制造半導體器件，例如，在存儲器件的情況下，如圖2所示，形成多層復雜布線層并通過層間電介質分隔。
等離子體CVD設備主要用于形成MOSFET柵電極、布線層、層間絕緣膜等，但需要在成膜后形成精細圖案。基本上采用印刷技術來形成圖案，并重復以下步驟，如圖3所示。
圖3. 半導體器件的基本成膜工藝
新圖案的材料（多晶硅、Al、C、W、SiO 2、Si 3 N 4等）使用CVD 均勻沉積在底層圖案的頂部。
在步驟 1 中形成的薄膜頂部形成（正性或負性）光致抗蝕劑薄膜。由于激發光，正膜變得更難溶于溶劑，而負膜變得更易溶解。
抗蝕劑被熔化，并且剩余熔化的抗蝕劑的圖案形成在膜的頂部。
從圖案的頂部進行蝕刻（剝離工藝）以去除薄膜。
去除抗蝕劑。
在薄膜上形成圖案。
通過重復上述過程，可以形成如圖2所示的半導體器件。
根據提供的能量不同，可分為等離子體CVD、熱CVD和光學CVD。
這是通過在高溫下處理熱CVD
供給氣體，引起成分的熱分解和化學反應 來成膜的方法。不能用于塑料等熱敏基材。
一種利用光學 CVD
激光和紫外線能量 激活化學分解和化學反應的方法。
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業自行提供，信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業負責，化工儀器網對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示：為規避購買風險，建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。
