存儲芯片封裝廠對芯片封裝循環測試chiller的需求圍繞溫度控制精度、穩定性、工藝適配性展開，具體體現在以下關鍵維度：
一、高精度溫控能力
1、±0.1℃級控溫精度
存儲芯片封裝過程中，材料固化、引腳焊接等環節對溫度敏感。
2、HBM（高帶寬內存）堆疊工藝
多層HBM芯片堆疊時，需準確控制鍵合溫度（如180℃±0.5℃），確保硅通孔（TSV）連接的可靠性。
二、寬溫域與快速響應
1、-92℃~250℃寬范圍覆蓋
封裝測試中需模擬嚴格條件：低溫測試（-40℃以下）驗證存儲芯片抗冷脆性，高溫老化測試（150℃以上）加速評估壽命。芯片封裝循環測試chiller需快速切換溫區。
2、動態溫度沖擊測試
芯片可靠性測試需進行-55℃?125℃循環沖擊，芯片封裝循環測試chiller需在30秒內完成溫度切換，避免測試中斷1。
三、工藝適配性優化
1、封裝材料固化控溫
在塑封（Molding）工序中，芯片封裝循環測試chiller需準確控制模具溫度（120℃~180℃），確保塑封料流動性一致，避免氣泡或空洞缺陷。
2、蝕刻與清洗液溫控
封裝前需清洗晶圓表面，芯片封裝循環測試chiller需維持清洗液溫度，提升去污效率并減少化學殘留。
3、7×24小時連續運行
封裝產線工作時間比較長，芯片封裝循環測試chiller需采用冗余壓縮機設計，減少故障率。
通過上述需求分析可見，芯片封裝循環測試chiller已成為存儲芯片封裝廠提升良率、降低成本的核心基礎設施，技術迭代將深度綁定封裝工藝發展。
