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2*1200V-艾賽斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA
  • 2*1200V-艾賽斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA
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貨物所在地:江蘇蘇州市

更新時間:2025-02-05 09:33:26

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可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等。艾賽斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA 2*1200V

艾賽斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA  2*1200V


可控硅-主要參數
1、額定通態平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數值。
3、反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。
4、控制極觸發電流Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下,陽極--陰極間加有一定電壓時,可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。
5、維持電流IH在規定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。

可控硅-參數符號說明

IT(AV)--通態平均電流
VRRM--反向重復峰值電壓IDRM--斷態重復峰值電流
ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流
VTM--通態峰值電壓
IGT--門極觸發電流
VGT--門極觸發電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態電壓臨界上升率
di/dt--通態電流臨界上升率
Rthjc--結殼熱阻
VISO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結溫
VDRM--通態重復峰值電壓
IRRM--反向重復峰值電流
IF(AV)--正向平均電流


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