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可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此功率，因元件開(kāi)關(guān)損可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)...

IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標(biāo)的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡(jiǎn)化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡(jiǎn)化...

IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、UPS、開(kāi)關(guān)電源等。問(wèn)世有十年多歷史...

在供電系統(tǒng)中，MOS管的主要作用的是穩(wěn)壓。MOS管芯片在制作完成之后，需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼，即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、...

MOS管導(dǎo)通特性，導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適宜用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只需柵極電壓抵達(dá)4V或...

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比擬，場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集...

MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導(dǎo)體。MOS...

MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效...

MOS具有以下特點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、無(wú)二次擊穿問(wèn)題、全工作區(qū)寬、工作線性度高等。其最重要的有點(diǎn)就是能夠減少體積大...

mos管在電路中一般用作電子開(kāi)關(guān)，在開(kāi)關(guān)電源中常用MOS管的漏極開(kāi)路電路，漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開(kāi)路漏極，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷...

SKiiP 的關(guān)鍵特性:集成驅(qū)動(dòng)、功率模塊和散熱器、集成溫度測(cè)量、集成精準(zhǔn)的電流傳感器、集成直流母線監(jiān)測(cè)、SKiiP4包含可配置和讀取的CAN總線、100%免焊...

SKiiP產(chǎn)品特點(diǎn)是：4合1：功率IPM驅(qū)動(dòng)器、功率半導(dǎo)體、高精度電流傳感器和高性能冷卻風(fēng)冷或水冷（HPC）；采用了燒結(jié)技術(shù)，功率循環(huán)能力提高了2-3倍(SKi...

SKiiP*功率范圍0.5至6MW的風(fēng)力發(fā)電機(jī)的特定要求。除了風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用外，SKiiP模塊還可用于電梯、太陽(yáng)能和軌道交通應(yīng)用——事實(shí)上，動(dòng)力強(qiáng)勁且安全可靠的I...

SKiiP IPM產(chǎn)品系列為高性能和穩(wěn)健的逆變器設(shè)計(jì)樹(shù)立了一個(gè)基準(zhǔn)。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度，結(jié)合靈活的冷卻選項(xiàng)，如風(fēng)冷和水冷卻或定制的散...

得益于銀燒結(jié)和高性能冷卻器技術(shù)，SKiiP提高了對(duì)苛刻的電源循環(huán)條件的可靠性。與傳統(tǒng)的焊接方法相比，燒結(jié)技術(shù)延長(zhǎng)了工作壽命，提高了對(duì)主動(dòng)和被動(dòng)熱循環(huán)的彈性。SK...

IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來(lái)運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds 下降過(guò)程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。td(...

賽米控提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊，支持不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、額定電流和電壓。這些IGBT模...

IGBT動(dòng)態(tài)特性是 ：IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來(lái)運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds 下降過(guò)程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加...

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU"，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。I...

西門康IGBT驅(qū)動(dòng)板 包括三大類：Driver驅(qū)動(dòng)板、Driver Core驅(qū)動(dòng)芯、Adaptor Board適配板，適于驅(qū)動(dòng)600V、1200V、1700V三...