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IGBT,絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GT...

SEMITRANS是一種穩健的工業標準封裝，配備銅底板和用于電源連接的螺絲端子。SEMITRANS封裝采用低電感設計，可用于20kW至500kW的逆變器。通過多...

可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的...

英飛凌Infineon的晶閘管/二極管模塊提供不同封裝形式，如20mm、34mm、50mm、60mm、70mm底板寬。采用不同的連接技術，有焊接、壓接模塊可供選...

德國英飛凌可控硅模塊按其內部管芯連接方式可分為 TT 雙可控硅串聯、 DD 雙二極管串聯 、 TZ 單可控硅模塊等7種，具體見產品詳情。可用于幾乎所有相位控制或...

晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅。晶閘管在工作過程中，它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路。晶閘管的門極G和陰極K與控制...

SKKH系列全新西門康可控硅模塊功率二極管模塊晶閘管 。體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可...

德國Semikron塞米控公司的可控硅二極管模塊按其內部管芯連接方式可分為SKET單可控硅模塊、SKKE單二極管模塊、SKKT雙可控硅串聯模塊等18中。可控硅優...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝...

西門康可控硅/晶閘管模塊配置了各類單管和雙管拓撲結構，憑借高達2200V的阻斷電壓，可用于幾乎所有相位控制或整流器。它體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線...

IGBT最常見的應用形式是模塊。大電流和大電壓環境多使用IGBT模塊，IHS數據顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應用于中小功率變頻...

在電動汽車的“三電"方面，TESLA的Model S使用的三相異步驅動電機，其中每一相的驅動控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片，三相共需要使用84顆IGBT芯...

由于系統結構的問題，有時驅動板不能直接焊在或是螺絲擰在IGBT上，而是通過線纜連接到IGBT的輔助端子。連同驅動電路本身的輸出雜散電感和IGBT內部的柵極綁定線...

IGBT開通性能而言，有兩個比較重要的表現指標：一個是開通時橋臂電流的變化率di/dt，另一個是器件從關斷狀態到導通狀態所產生的開通損耗。前者如果太高，續流二極...

如今，IGBT已被廣泛應用于工業電源領域。與MOSFET相同，它也是一種壓控型器件。其開關性能可通過IGBT驅動設置加以控制或影響。優化IGBT開關性能對于系統...

德國infineon公司生產的IGBT模塊品種繁多，為了使客戶選型方便，我們對其按電壓等級進行分類，共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、...

IGBT使用注意事項（1）操作過程中要佩戴防靜電手環（2）盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，...

IGBT在高頻下工作時，其總損耗與開關頻率的關系比較大，因此，若希望IGBT工作在更高的頻率，可選擇更大電流的IGBT模塊；另一方面，軟開關主要是降低了開關損耗...

選擇IGBT模塊時，通常是先計算通過IGBT模塊的電流值，然后根據電力電子設備的特點，考慮到過載、電網波動、開關尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應的IGBT...

因為大多數IGBT模塊工作在交流電網通過單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以，通常IGBT模塊的工作電壓，均對應于常用電網的電壓等級。考慮到過載，電網波動，開...