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可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多。可控硅有三個(gè)電極---陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的...

英飛凌Infineon的晶閘管/二極管模塊提供不同封裝形式，如20mm、34mm、50mm、60mm、70mm底板寬。采用不同的連接技術(shù)，有焊接、壓接模塊可供選...

德國(guó)英飛凌可控硅模塊按其內(nèi)部管芯連接方式可分為 TT 雙可控硅串聯(lián)、 DD 雙二極管串聯(lián) 、 TZ 單可控硅模塊等7種，具體見(jiàn)產(chǎn)品詳情。可用于幾乎所有相位控制或...

晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅。晶閘管在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路。晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制...

SKKH系列全新西門(mén)康可控硅模塊功率二極管模塊晶閘管 。體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可...

德國(guó)Semikron塞米控公司的可控硅二極管模塊按其內(nèi)部管芯連接方式可分為SKET單可控硅模塊、SKKE單二極管模塊、SKKT雙可控硅串聯(lián)模塊等18中。可控硅優(yōu)...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝...

西門(mén)康可控硅/晶閘管模塊配置了各類單管和雙管拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，憑借高達(dá)2200V的阻斷電壓，可用于幾乎所有相位控制或整流器。它體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線...

IGBT最常見(jiàn)的應(yīng)用形式是模塊。大電流和大電壓環(huán)境多使用IGBT模塊，IHS數(shù)據(jù)顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應(yīng)用于中小功率變頻...

在電動(dòng)汽車的“三電"方面，TESLA的Model S使用的三相異步驅(qū)動(dòng)電機(jī)，其中每一相的驅(qū)動(dòng)控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片，三相共需要使用84顆IGBT芯...

由于系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的問(wèn)題，有時(shí)驅(qū)動(dòng)板不能直接焊在或是螺絲擰在IGBT上，而是通過(guò)線纜連接到IGBT的輔助端子。連同驅(qū)動(dòng)電路本身的輸出雜散電感和IGBT內(nèi)部的柵極綁定線...

IGBT開(kāi)通性能而言，有兩個(gè)比較重要的表現(xiàn)指標(biāo)：一個(gè)是開(kāi)通時(shí)橋臂電流的變化率di/dt，另一個(gè)是器件從關(guān)斷狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所產(chǎn)生的開(kāi)通損耗。前者如果太高，續(xù)流二極...

如今，IGBT已被廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源領(lǐng)域。與MOSFET相同，它也是一種壓控型器件。其開(kāi)關(guān)性能可通過(guò)IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)置加以控制或影響。優(yōu)化IGBT開(kāi)關(guān)性能對(duì)于系統(tǒng)...

德國(guó)infineon公司生產(chǎn)的IGBT模塊品種繁多，為了使客戶選型方便，我們對(duì)其按電壓等級(jí)進(jìn)行分類，共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、...

IGBT使用注意事項(xiàng)（1）操作過(guò)程中要佩戴防靜電手環(huán)（2）盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，...

IGBT在高頻下工作時(shí)，其總損耗與開(kāi)關(guān)頻率的關(guān)系比較大，因此，若希望IGBT工作在更高的頻率，可選擇更大電流的IGBT模塊；另一方面，軟開(kāi)關(guān)主要是降低了開(kāi)關(guān)損耗...

選擇IGBT模塊時(shí)，通常是先計(jì)算通過(guò)IGBT模塊的電流值，然后根據(jù)電力電子設(shè)備的特點(diǎn)，考慮到過(guò)載、電網(wǎng)波動(dòng)、開(kāi)關(guān)尖峰等因素考慮一倍的安全余量來(lái)選擇相應(yīng)的IGBT...

因?yàn)榇蠖鄶?shù)IGBT模塊工作在交流電網(wǎng)通過(guò)單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以，通常IGBT模塊的工作電壓，均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)。考慮到過(guò)載，電網(wǎng)波動(dòng)，開(kāi)...

對(duì)于一個(gè)具體的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，在選擇IGBT功率模塊時(shí)，需要考慮其在任何靜態(tài)、動(dòng)態(tài)、過(guò)載（如短路）的運(yùn)行情況下：器件耐壓；在實(shí)際的冷卻條件下，電流的承受力；合適的開(kāi)關(guān)...

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的...