粉末原子層沉積是一種薄膜制備技術。與傳統的原子層沉積（ALD）相比，利用粉末作為反應物源，實現了更高的生長速率和更大尺寸的薄膜覆蓋面積。在過去的幾年里，已經成為材料科學和工程領域的研究熱點，并在微電子、能源存儲、光電子等領域展示出巨大的潛力。
粉末原子層沉積通過交替地引入氣體與粉末進行表面反應，將它的概念擴展到固體顆粒上。先在基材表面形成一個導電或非導電的種子層，然后將粉末在該種子層上均勻地分布。接下來，通過向反應室中引入適當的氣體，與粉末表面發生化學反應，使其在每個原子層上生長一層薄膜。這個過程可以重復多次，直到達到所需的薄膜厚度。
具有許多優點。
1、它具有較高的生長速率，通常比傳統ALD快一個數量級。這是因為粉末作為反應物源可以提供更多的原子或分子，從而加快了薄膜的沉積速度。
此外，還具有較大的薄膜覆蓋面積，因為粉末可以均勻地分布在基材表面上，使得整個表面都能夠進行原子層沉積。
2、另一個重要的優勢是對于復雜形狀的基材具有較好的適應性。由于粉末可以填充到不規則表面的細微縫隙中，可以在曲率半徑很小的區域實現原子層沉積，從而保持了薄膜的均勻性和一致性。這使得它在納米器件、MEMS（微機電系統）和生物醫學等領域中具有廣泛的應用前景。
粉末原子層沉積是一種具有高生長速率、大薄膜覆蓋面積和良好適應性的薄膜制備技術。
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