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850±10nm單模VCSEL激光器
  • 850±10nm單模VCSEL激光器
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貨物所在地:上海上海

更新時間:2025-01-23 21:00:07

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850±10nm單模VCSEL激光器:Philips借經過優化的光學特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。
850±10nm單模VCSEL激光器總覽

Philips借經過優化的光學特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。

850±10nm單模VCSEL激光器產品特點

● 內部TEC和熱敏電阻

2 nm TEC的可調性

高斯型光束輪廓

對稱的高斯型光束輪廓顯著簡化應用光學設計。

小光束發散角

發散角的范圍為 20° (1/e2),可重復再現,方便激光光束傳導。

光譜寬度窄

憑借光譜寬度通常為 100 MHz 的激光線,此類激光器專為光譜應用而設計。

低功率消耗

由于功率消耗僅為數毫瓦,移動應用中可采用電池運行。

TO46&TEC

特定工作條件:激光電流IOP = 2 mA 目標波長 λt = 850 nm @ TOP (由TEC調節)

封裝及尺寸

產品尺寸

tec1.png


tec.png

帶TEC管腳配置

pz.png

不帶TEC管腳定義

855.png

單位(mm

產品應用

CPT原子鐘

光學相干實驗

技術參數

參數

符號

最小值

典型值

大值

單位

備注

入射波長

λR

840

850

860

nm

T = 20°C, ITEC = 0, POP=   0.5 mW

閾值電流

ITH


0.50


mA

T = 20°C

輸出功率

Popt

0.50



mW

T = 0 … 50°C

閾值電壓

UTH


1.80


V


激光電流

IOP



2.0

mA

Popt = 0.5 mW

激光電壓

UOP


2.0


V

Popt = 0.5 mW

電光轉換率

ηWP


12


%

Popt = 0.5 mW

斜率效能

ηS


0.3


W/A

T = 20°C

微分串聯電阻

RS


250


Ω

Popt = 0.5 mW

3dB調制帶寬

ν3dB

0.10



GHz

Popt = 0.5 mW

(由于ESD防護二極管)

相對噪聲強度

RIN


-130

-120

dB/Hz

Popt = 0.3 mW @ 1 GHz

波長調諧電流



0.6


nm/mA


波長調諧溫度



0.06


nm/K


熱電阻

Rthermal

3


5

K/mW


邊模式抑制


30



dB


光束發散度

θ

10


25

°

Popt = 0.5 mW滿1/e2帶寬

光譜帶寬

Δν


100


MHz

Popt = 0.5 mW

TEC電流

ITEC



500

mA

需適當散熱器

NTC熱敏電阻


9.5

10.0

10.5

T= 25°C,

NTC溫度依賴性


10/exp[3892·(1/298K-1/TOP)]


波長調諧TEC電流


0.008

nm/mA

TEC電流 < 200 mA


975.png

大值

● 儲存溫度                   -40~125°C

● 工作溫度                   -20~80°C

● 電功率損耗                5 mW

● 正向激光電流             2 mA

● 反向電流                   10 mA  

● 焊接溫度*                  270C°

● *TEC 溫度必須低于     150°C


光譜圖

高階模式被強烈抑制,光譜帶寬極窄

850nm VCSEL single-mode-vcsel-spectrum_9871c314c3.jpg

光束輪廓

單模 VCSEL 的遠場光強分布*符合高斯模式

850nm single mode vcsel beam profil.jpg

LIVT 特性曲線

您將受益于較寬溫度范圍內的線性性能和低閾值電流

LI.jpg

TEC電流調諧下的溫度/波長

LI2.png




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