MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
2-12μm , MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-3TE系列具有好的性能和穩(wěn)定性，同時(shí)采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有好性...
中紅外兩級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
2-12μm MCT 中紅外兩級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-2TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有好的性能和穩(wěn)定性，...
中紅外MCT三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
2-12μm 中紅外MCT三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器, 帶TEC ,PV-3TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有好的性能和穩(wěn)定性...
中紅外非制冷光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
2.5-6.5μm MCT碲鎘汞 中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其...
3μm MCT 中紅外非制冷光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
3μm MCT 中紅外非制冷光電探測(cè)器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt時(shí)達(dá)到好性能。波長(zhǎng)分割可根據(jù)需求進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應(yīng)...
2-12μmMCT 光浸式紅外非冷卻光電磁探測(cè)器 參考價(jià)：面議
光電磁MCT紅外光伏探測(cè)器 2.0-12.0um PEMI系列在10.6 μm處探測(cè)性能最佳，是一款特別適用于探測(cè)連續(xù)波和低頻調(diào)制輻射的大感光面探測(cè)器。這款探測(cè)...
MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 參考價(jià)：面議
1-16μm 中紅外光浸沒式MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-4TE系列截止波長(zhǎng)受GaAs透過率(~0.9 μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出...
三級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 參考價(jià)：面議
1-15μm中紅外光浸沒式MCT三級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-3TE系列應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器的性能降低。1...
2-5.5μm紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光伏探測(cè)器 參考價(jià)：面議
2-5.5μm紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光伏探測(cè)器 PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的兩級(jí)TE冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫...
2-12μm , MCT中紅外非冷卻多結(jié)光伏探測(cè)器 參考價(jià)：面議
2-12μm , MCT中紅外非冷卻多結(jié)光伏探測(cè)器 PVM-2TE系列在2 ~ 12 μm光譜范圍內(nèi)工作的大型有源區(qū)域探測(cè)器中效率很高。3°楔狀硒化鋅...
1-15μm MCT中紅外光電導(dǎo)探測(cè)器 參考價(jià)：面議
1-15μm MCT中紅外光電導(dǎo)探測(cè)器, 三級(jí)熱電冷卻 PC-3TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，具有好的性能和穩(wěn)定性。器件在λ...
1-12μm中紅外非冷卻光導(dǎo)型MCT象限探測(cè)器 參考價(jià)：面議
1-12μm中紅外非冷卻光導(dǎo)型MCT象限探測(cè)器PCQ應(yīng)在最佳偏置電壓和電流讀出模式下工作，由于1/f噪聲，探測(cè)器在低頻率下的性能會(huì)降低。PCQ探測(cè)器的主要應(yīng)用是...
2-12μm中紅外非冷卻多結(jié)光伏MCT象限探測(cè)器 參考價(jià)：面議
2-12μm中紅外非冷卻多結(jié)光伏MCT象限探測(cè)器 PVMQ：是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外多結(jié)光伏象限探測(cè)器，具有好的性能和穩(wěn)定性。象限探測(cè)器由四...
四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
2-12μm 中紅外MCT 四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器 PV-4TE系列具有好的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)達(dá)到最佳性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏...
直流耦合 200 MHz InGaAs 低噪聲光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
InGaAs差分光點(diǎn)低噪聲光電探測(cè)器 WL-DPD200MA（200 MHz）是InGaAs的一款直流耦合高速差分 (“雙平衡")光接收器。它具有高跨阻增益、低...
光電二極管放大器混合器 參考價(jià)：面議
混合系列光電二極管探測(cè)器放大器 Photop™系列 350nm-1100nm/200nm-1100nm采用集成封裝，確保在各種工作條件下的低噪聲輸出...
中紅外量子級(jí)聯(lián)超快光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
中紅外量子級(jí)聯(lián)超快光電探測(cè)器產(chǎn)品總覽這是一款超快中紅外光電探測(cè)器，響應(yīng)帶寬超過20GHz (-3 dB)。它無偏壓工作，不需要冷卻，因此不需要外部電源。安裝過程...
2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中紅外探測(cè)器 參考價(jià)：面議
2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中紅外探測(cè)器是非制冷光伏探測(cè)器，基于HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)，集成跨阻、直流耦合前置放大器。它能夠在空間有限的長(zhǎng)...
銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面PIN光電二極管（900-1800nm，直徑10mm) 參考價(jià)：面議
便于客戶供電即用，探測(cè)器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng)，從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此，我們建議使光入射在有效面積中心。為此，可以在探測(cè)...
APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊GD4516YB 參考價(jià)：面議
APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊GD4516YB其采用 InGaAs 四象限 APD芯片與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏元 ...
四象限捕獲光電探測(cè)接收模塊 1000-1650nm 參考價(jià)：面議
四象限捕獲光電探測(cè)接收模塊 1000-1650nm采用正照型四象限光電探測(cè)器與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。其四個(gè)電壓輸出端P1、P2、P3、P4分別對(duì)應(yīng)于器件中...
16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600 參考價(jià)：面議
16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600：器件是N型硅象限探測(cè)器，當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí)，則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí)，由于...
Alphalas UPD超快光電探測(cè)器（800-2600nm ，上升沿時(shí)間＜200ps ，InGaA 參考價(jià)：面議
Alphalas UPD超快光電探測(cè)器（800-2600nm ，上升沿時(shí)間＜200ps ，InGaAs；Polished； glass）產(chǎn)品特點(diǎn)?超高速運(yùn)行?上...
Alphalas UPD超快光電探測(cè)器 (800-1700nm 上升時(shí)間<35ps >1 參考價(jià)：面議
Alphalas UPD超快光電探測(cè)器 (800-1700nm 上升時(shí)間35ps 10GHz InGaAs) 產(chǎn)品總覽ALPHLAS UPD系列自由空間入射超快...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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