產品簡介
IBGT的分類
按有無緩沖區分類
(1)非對稱型ICBT有緩沖區N+,為穿通型IGBT;由于N+區存在,所以反向能力弱,但正向壓降低,關斷時間短,關斷時的尾部電流小。
(2)對稱型IGBT無緩沖區N+,為非穿通型IGBT;具有正、反向能力,其他特性較非對稱型IGBT差。
按溝道類型分類
IBGT按溝道類型分為N溝道IGBT和P溝道IGBT。
詳細介紹
FF150R12RT4英飛凌IGBT模塊原裝現貨供應
IBGT的分類
按有無緩沖區分類
(1)非對稱型ICBT有緩沖區N+,為穿通型IGBT;由于N+區存在,所以反向能力弱,但正向壓降低,關斷時間短,關斷時的尾部電流小。
(2)對稱型IGBT無緩沖區N+,為非穿通型IGBT;具有正、反向能力,其他特性較非對稱型IGBT差。
按溝道類型分類
IBGT按溝道類型分為N溝道IGBT和P溝道IGBT。
只是在漏源電壓Uds 下降后期, PNP 晶體管由放大,區至飽和,又了一段時間,td(on) 為開通時間, tri 為電流上升時間,實際應用中常給出的漏極電,流開通時間ton 即為td (on) tri 之和,漏源電壓的下降時間由tfe和tfe組成, IGBT的觸發和關斷要求給其柵,極和基極之間加上正向電壓和負向電壓,柵極電壓可由不同的驅動電路產生,當選擇這些驅動電路時。必須基于以,下的參數來進行器件關斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況,因為IGBT柵極- 發射極阻抗大。
英飛凌IGBT模塊一系列型號現貨銷售,庫存充足,歡迎咨詢。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為新型電力半導體場控自關斷器件,集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體,具有輸入阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電力變換中獲得極廣泛的應用。與此同時,各大半導體生產廠商不斷開發IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可性、低成本技術,主要采用1um以下制作工藝,研制開發取得一些新進展。
1、低功率IGBT
IGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區域,為滿足家電行業的發展需求,摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產品,實用于家電行業的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的應用。
2、U-IGBT
U(溝槽結構)--TGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內部形成溝槽式柵極。采用溝道結構后,可進一步縮小元胞尺寸,減少溝道電阻,提高電流密度,制造相同額定電流而芯片尺寸少的產品。現有多家公司生產各種U—IGBT產品,適用低電壓驅動、表面貼裝的要求。
3、NPT-IGBT
NPT(非傳統型)--IGBT采用薄硅片技術,以離子注入發射區代替高復雜、高成本的厚層高阻外延,可降低生產成本25%左右,耐壓越高成本差越大,在性能上更具有特色,高速、低損耗、正溫度系數,無鎖定效應,在設計600—1200V的IGBT時,NPT—IGBT可*性。西門子公司可提供600V、1200V、1700V系列產品和6500V高壓IGBT,并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT,依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列,富士電機、摩托羅拉等在研制之中,NPT型正成為IGBT發展方向。
4、SDB--IGBT
鑒于目前廠家對IGBT的開發非常重視,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術,在IC生產線上制作第四代高速IGBT及模塊系列產品,特點為高速,低飽和壓降,低拖尾電流,正溫度系數易于并聯,在600V和1200V電壓范圍性能優良,分為UF、RUF兩大系統。
5、超快速IGBT
整流器IR公司的研發重點在于減少IGBT的拖尾效應,使其能快速關斷,研制的超快速IGBT可大限度地減少拖尾效應,關斷時間不超過2000ns,采用特殊高能照射分層技術,關斷時間可在100ns以下,拖尾更短,重點產品專為電機控制而設計,現有6種型號,另可用在大功率電源變換器中。
6、IGBT/FRD
IR公司在IGBT基礎上推出兩款結合FRD(快速恢復二極管)的新型器件,IGBT/FRD有效結合,將轉換狀態的損耗減少20%,采用TO—247外型封裝,額定規格為1200V、25、50、75、100A,用于電機驅動和功率轉換,以IGBT及FRD為基礎的新技術便于器件并聯,在多芯片模塊中實現更平均的溫度,提高整體可*性。
7、IGBT功率模塊
IGBT功率模塊采用IC驅動,各種驅動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術,從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展,其產品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于變頻調速外,600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,用于艦艇上發射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB,大大降低電路接線電感,提高系統效率,現已開發成功第二代IPEM,其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發展熱點。
FF150R12RT4英飛凌IGBT模塊原裝現貨供應
F3L100R07W2E3_B11
F3L150R07W2E3_B11
FP25R12KT3
F3L300R07PE4
FF150R12RT4
FF150R12RT4
FF450R12KT4
FS100R12KT3
FP10R12W1T4
注意:采購以型號為準,圖片僅供參考,市場價格不穩定,價格以當天報價為準,其他型號可聯系溝通確定。