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Behlke高壓開關(guān)、可變導通時間、低導通電阻、SiC和溝槽FET

Behlke低的導通電阻 碳化硅場效應(yīng)晶體管或者溝槽場效應(yīng)晶體管技術(shù) ● 具有真實繼電器特性的多功能高壓開關(guān) ● TTL信號可控制導通時間  ● 低動態(tài)開關(guān)損耗 和極低的導通損耗 ● 工業(yè)電源應(yīng)用的選擇 ● 抗過載和電壓反轉(zhuǎn) ● dv/dt抗高壓瞬變能力

型號：

HTS 61-15-SiC

HTS 61-30-SiC

HTS 61-60-SiC

HTS 61-120-SiC

HTS 121-15-SiC

HTS 121-180-SiC

Behlke高壓開關(guān)具有固定導通時間的通用MOSFET

 特點：適合簡單脈沖和放電應(yīng)用的高壓開關(guān)解決方案；開關(guān)狀態(tài)下無噪音；高頻時控制功率低；100至300 ns的類型依賴時間可選擇更改為25 ns至100 μs。

Behlke高壓開關(guān)具有電流依賴導通時間

特點：

BEHLKE晶閘管開關(guān)模塊由大量較小的晶閘管芯片(類型取決于達1000個單個晶閘管)組成。

包含有關(guān)電壓、電流和開啟行為的編碼信息。前幾個數(shù)字代表以kV為單位的電壓，破折號前的最后一個數(shù)字表示導通行為(0 =固定導通時間，1 =可變導通時間)。破折號后的數(shù)字表示電流，單位為安培x10。特殊功能由第二個破折號后的字母編碼。

型號：HTS 60-100-SCR

HTS =高壓晶閘管開關(guān)，6 = 6 kV，0 =取決于固定導通時間的電流，100 = 1000安培，SCR =硅控整流器(晶閘管)。