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MCT制冷型光電探測(cè)器是一種HgCdTe（碲鎘汞，MCT）材料制備的高靈敏度光電探測(cè)器，這種材料對(duì)2~12um的中紅外光譜波段光波敏感。
該探測(cè)器可以是直流或交流耦合輸出。探測(cè)器與前置放大電路，半導(dǎo)體熱電冷卻器（TEC）控制器高度集成，通過反饋電路將探測(cè)器元件的溫度控制在負(fù)四十?dāng)z氏度以下，從而將熱噪聲對(duì)輸出信號(hào)的影響減小。探測(cè)器外殼采用全鋁合金材料，既可起到屏蔽環(huán)境電磁干擾，也具備良好的散熱性能。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
【產(chǎn)品簡(jiǎn)介】
高速碲鎘汞（MCT）制冷型光電探測(cè)器是一種HgCdTe（碲鎘汞，MCT）材料制備的高靈敏度光電探測(cè)器，這種材料對(duì)2~12um的中紅外光譜波段光波敏感。本產(chǎn)品為有高速信號(hào)探測(cè)需求的應(yīng)用特殊定制，能夠滿足最高到100MHz高頻信號(hào)輸出。
【產(chǎn)品特點(diǎn)】
高速碲鎘汞（MCT）制冷型光電探測(cè)器可以是直流或交流耦合輸出。探測(cè)器與前置放大電路，半導(dǎo)體熱電冷卻器（TEC）控制器高度集成，通過反饋電路將探測(cè)器元件的溫度控制在負(fù)四十?dāng)z氏度以下，從而將熱噪聲對(duì)輸出信號(hào)的影響減小。探測(cè)器外殼采用全鋁合金材料，既可起到屏蔽環(huán)境電磁干擾，也具備良好的散熱性能。
【產(chǎn)品參數(shù)】
探測(cè)器材料 | 碲鎘汞(MCT) |
響應(yīng)波長(zhǎng)范圍 | 2 - 12um ——注解1 |
輸出電壓 | ±5V(Hi-Z負(fù)載) ——注解1 |
供電電壓 | +12VDC，3A(電源適配器) ——注解1 |
低頻截止頻率flo | DC monitor-直流 AC monitor -10kHz |
高頻截止頻率fhi | DC monitor -10 kHz AC monitor -100MHz |
增益 | DC monitor -4.8 kV/A @Rload=1MΩ AC monitor -960 kV/A @Rload=50Ω |
信號(hào)輸出接口 | SMA 交流信號(hào) |
直流輸出接口 | SMA 光功率監(jiān)控端 |
工作溫度范圍 | 10 - 30℃ |
儲(chǔ)存溫度范圍 | -25 - 70℃ |
尺寸 | 60 × 60 × 63.5 mm3 |
重量 | 0.227 kg |
注解1：具體參數(shù)根據(jù)選用不同型號(hào)的探測(cè)器芯片而不同
HFPD - X - X - XX - XX - XX
① ② ③ ④ ⑤
① =A | 不集成TEC驅(qū)動(dòng) |
① =B | 集成TEC驅(qū)動(dòng) |
② =D | 直流耦合輸出 |
② =B | 交流耦合輸出，默認(rèn)不標(biāo)識(shí) |
③ =02,03,04,...依次類推 | 探測(cè)截止波長(zhǎng); 02表示截止波長(zhǎng)為2um，03表示截止波長(zhǎng)為3um，依次類推（采購前需咨詢）。 |
④ =02,05,10,... | 感光面積；02表示感光面積為0.2mm2,05表示感光面積為0.5mm2（采購前需咨詢）。 |
⑤ =01K, 02K, ...or 20 K | 前置放大器增益，默認(rèn)15K不標(biāo)識(shí)（采購前需咨詢）。 |
例如：
HFPD-B-08-10-10K
該探測(cè)器規(guī)格為：一個(gè)感光面為1.0 mm2,截止波長(zhǎng)為8um，前置放大器為交流耦合，增益為10K的集成TEC制冷驅(qū)動(dòng)的MCT探測(cè)器
【結(jié)構(gòu)尺寸】（單位：mm）
