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寧波海爾欣光電科技有限公司>>技術文章>>海爾欣光電HPPD-M-B探測器性能介紹

海爾欣光電HPPD-M-B探測器性能介紹

閱讀:2072        發布時間:2020/5/11
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1. 概述

MCT 中紅外探測器是一種熱電冷卻光電導 HgCdTe(碲鎘汞,MCT)探測器, 這種材料對 2 到 12um 的中紅外光譜波段光波敏感。海爾欣的中紅外探測器可采用直流或交流耦合輸出,直流耦合方便用戶實時觀測探測器上的光強信號,繼而方便系統對光調試;交流耦合輸出可以讓用戶解調微弱的交流小信號,一定程度上避免過高的直流光信號將探測器飽和。探測器與熱電冷卻器(TEC)相連接, TEC 采用一個熱敏電阻反饋電路對探測器元件的溫度控制在-30℃甚至更低溫度,從而將噪聲和背景輻射對輸出信號的影響小化。為有效地減少電磁噪聲對檢測輸出信號的影響, 探測器外殼采用了鋁合金屏蔽殼體制作,同時起到散熱的作用。

2. 性能

  半導體冷卻型碲鎘汞紅外光電探測器;
• 對2~12 um的中紅外光譜波段光波敏感;
• 內部一體化集成低噪聲前置運放+TEC控制單元;
• TEC熱電冷卻穩定 -80℃ -30℃ ,極大地降低了熱噪聲;

3. 優勢

  • 前放+制冷控制一體化,噪聲能進一步降低,使用也更為便捷
  • 性價比高于同款進口產品,波長覆蓋更寬
  • 海爾欣針對紅外探測應用自主研發,更適合系統集成,更及時專業的售后服務

 

4. 探測器噪聲測試

  • 測試原理

待測噪聲A,頻譜分析儀基底噪聲為B,噪聲A 接入頻譜分析儀后,測得噪聲為頻譜分析儀總噪聲C(探測器放大后噪聲A和頻譜分析儀基底噪聲B)。它們之間關系如下:

A2+B2=C2

 

 

           圖.1   HPPD-M-B探測器噪聲測試系統

    由于HPPD-M-B探測器感光單元噪聲Ain信號較小,需要對噪聲信號Ain進行放大處理,圖.1 中間框HPPD-M-B專指探測器前置放大電路,實際探測器芯片已集成到HPPD-M-B探測器產品中。   

其中Ain為歸一化到探測器輸入端的電流噪聲密度(單位為pA/√Hz),為我們的待求結果,A0為Ain經探測器HPPD-M-B放大N倍后的信號,Rout為探測器的輸出阻抗(Ω),A為頻譜分析儀輸入端信號,Rin為頻譜分析儀的輸入阻抗(Ω),B為頻譜儀基底噪聲(與測量系統基底噪聲相同),C為頻譜分析儀的頻率掃描結果??梢缘玫较到y中存在如下關系:

 

 A0=Ain*N

A=A0*Rin/(Rin+Rout)

 A2+B2=C2

 

注:

轉噪聲密度:噪聲密度(nV/√Hz)= RMS volts/√RBW故通過頻率分析儀測試探測器輸出端噪聲,便可容易的推算出歸一化到探測器輸入端的電流噪聲密度。

  • 測試系統參數說明:

放大倍數N = 15000V/A,探測器輸出阻抗Rout =16Ω,頻譜分析儀輸入阻抗Rin = 50Ω

頻率掃描范圍0-100 kHz,分辨率帶寬RBW = 10Hz

  • 測試過程

1.短路頻譜分析儀的信號輸入端口,頻譜儀噪聲基底的頻率掃描結果得到系統基底噪聲B1;

2.按圖1連接測試系統,將配套SMABNC同軸線纜一端連接到探測器的SMA輸出端口,另一端連接到頻譜分析儀(型號N9320B)的信號輸入端口;得到未供電時的測試系統頻率掃描結果,為測試系統的噪聲基底B,可以發現測試系統的噪聲基底B與頻譜儀輸入端短路時噪聲B1相同,如下圖2中的曲線V1(該曲線為系統的基底噪聲B)。

3.系統供電,將配套+5V電源適配器一端插入探測器電源供電口,另一端插入市電插座,撥動電源開關上電,此時風扇將正常工作,探測器開始溫度調節,熱機約10分鐘后,溫控指示燈亮,溫度穩定于預設值。此時,可得到供電狀態下,測試系統的頻率掃描結果,如下圖2中的曲線V2(該曲線為系統的總噪聲C)

注意:測試過程中,探測器感光單元一直為遮光狀態。

 

  

圖2.頻率掃描結果(0-100kHz)

  • 計算結果

讀圖:100kHz時,頻譜儀基底B =-120dBm,掃頻結果C = -117dBm,兩者RMS均為10Hz。

功率dBm轉DBM.shtml-120dBm對應RMS volts為223.607nV;-117dBm對應RMS volts為315.853nV。

根據RBM volts轉噪聲密度公式:噪聲密度(nV/√Hz)= RMS volts/√RBW計算噪聲密度B 為70.71nV/√Hz ,噪聲密度C 為99.88nV/√Hz。

根據計算公式:A2+B2=C2可以等到A=70.54nV/√Hz

根據計算公式 :A=A0*Rin/(Rin+Rout);Rin=50?、Rout=16? 可以得到A0=93.11nV/√Hz 。

通過公式:A0=Ain*N其中N為放大倍數15000V/A 可以得到Ain=6.2pA/√Hz。

1.探測器芯片的電流噪聲密度

HPPD-M-B編號:96610,芯片電流噪聲 4.7 pA/√Hz5V測試結果表明,歸一化到探測器輸入端的電流噪聲密度Ain為6.2pA/√Hz,則海爾欣的前置低噪聲運放的噪聲系數僅為2.4dB。計算方法為:信噪比:信號功率/噪聲功率(下述計算提到的功率都以歸一化噪聲電流同比表示)噪聲系數NF = 輸入端信噪比/輸出端信噪比 噪聲系數可由下列式表示:

 

                    

Si為輸入信號功率,即為光電流信號;Ni 為輸入噪聲功率,即為芯片電流噪聲 4.7 pA/√HzS0為輸出端信號功率,即為S0=Si*NN0為輸出噪聲功率,即為Ain*N通過上計算可以得到噪聲系數NF=Ain/Ni根據上面計算結果可知Ain=6.2 pA/√Hz,Ni=4.7 pA/√Hz則噪聲系數NF=1.32,根據噪聲系數轉換噪聲dB公式:dB=20lgNF=2.4可以得到噪聲系數為2.4 dB.

 

  • 2.進口探測器比較

     

             圖.3  VIGO探測器與HPPD-M-B噪聲比較

V3為HPPD-M-B ,適配器供電(放大15000倍)

V2某進口探測器,本底比HPPD-M-B低是因其放大倍數較低的緣故。

 

結論,綜合來看,海爾欣的HPPD-M-B型中紅外探測器噪聲與進口探測器處于同一水平,從功能上來講沒有太大差別。再結合其運放與TEC制冷高度集成的設計,HPPD-M-B型探測器極大地方便了用戶的使用和系統集成,是一款小巧、出色的制冷型單像素紅外探測器。

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