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CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，此二維銦鉀砷面陣探測器的響應波段為900-1700nm，目前可做到320x256和640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術可以使其與讀出電路緊密結合，同時采用LCC及Kovar氣密封裝，且表面鍍有抗反射膜。同時，我們可以根據客戶的需求定制封裝不同的產品。

Features（特點）

Large Sensing Area大感光面

High Responsitivity高響應率

High Sensitivity高靈敏度

High Shunt Resistance高阻抗

Low Dark Current低暗電流

High Dynamic Range高動態范圍

Optical Powering視覺影像

Applications（應用）

Power Measurement功率測量

IR Sensing紅外線測量

Spectrography光譜分析

Medical and Chemical Devices

醫學和生化檢測

Temperature Sensors溫度測量

Light Detection and Ranging (LIDAR)

1.1、FPA-320x256InGaAs Imager（0.9um-1.7um）

CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片，此InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術，尤其是在非制冷條件下的優化解決方案，CLPT的核心技術是實現優良品質的InGaAs焦平面陣列，CLCC封裝也便于CCD與CMOS數碼相機制造商的機械設計。CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片

Features（特點）

320*256 陣列格式

30um 象元間距

CLCC 封裝

低暗電流

高量子效率

高可操作性

Applications（應用）

近紅外成像

超光譜

秘密監察

半導體檢測

天文學和科學

工業熱成像

zui大額定值

參數	單位	zui小值	zui大值
工作溫度范圍	℃	-20	85
儲存溫度范圍	℃	-40	85
功耗	mW	---	175

FPA特性

參數	典型值	條件
光譜響應	0.9um-1.7um	---
zui小像素的可操作性	>99%	318*254內的中心地區
暗電流	<0.4PA	25℃,0.1V 探測器偏壓
量子效率	>70%	λ=1.0um-1.6um
探測率	≥5*10¹¹Jones	25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益
響應非均勻性	<10%	飽和度低于50%,25℃
非線性(zui大偏差)	<2%	超過10%-90%滿阱容量
zui大像素率	10MHz	---
增益	High:14.38uV/e^- Low:0.77 uV/e^-	25℃

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