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大激發面積太赫茲發射器
  • 大激發面積太赫茲發射器
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貨物所在地:上海上海市

地: 英國

更新時間:2025-04-27 21:00:08

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太赫茲光電導天線 太大激發面積太赫茲發射器 赫茲天線
效率高的太赫茲輻射源對一系列太赫茲科學技術的應用有著非常重要的影響,一個重要的方面就是寬的帶寬,以及高的電場強度。

產品簡介

        效率高的太赫茲輻射源對一系列太赫茲科學技術的應用有著非常重要的影響,一個重要的方面就是寬的帶寬,以及高的電場強度。這通常依賴于大激發面積的輻射源,傳統的概念上輻射源需要高的偏置電壓(高至幾百V)激發才能達到KV/cm的THz電場強度。上海屹持光電推出的大激發面積太赫茲發射器是一款大激發面的且只需要很低偏置電壓的高效率光電導天線。

產品特點

√  大的激發面積

√  低的外部偏置電壓

√  不需要外部冷卻裝置

√  超級集成化的封裝設計

技術規格

        上海屹持光電推出的Tera-SED是一款基于LT-GaAs的高效率太赫茲光電導天線。我們提供兩個不同版本的大激發面積光電導天線:10mm*10mm激發面積的天線適合于放大級飛秒激光器系統(單脈沖能量可以高至300uJ);3mm*3mm版本的光電導天線適合于震蕩級飛秒激光器。

左圖為Tera-SED受激發輻射THz的原理示意圖,右圖是實驗測試頻譜數據(0.7nJ pump功率,GaP晶體探測的結果)


頻譜峰值1THz-1.5THz
頻譜寬度(@-10dB)~2.5THz
最大光學激發功率密度8W/mm2
最大激發功率650mW
激發波長700-850nm
尺寸1英寸外徑
太赫茲脈沖強度最高可至5KV/cm
偏置電壓
10-30V
偏置電壓調制頻率DC-100KHz
占空比5%-100%


輻射太赫茲的能力




偏置電壓Vbias占空比THz電場強度
Tera-SED3
up to 10VCW100V/cm (@10V)
10-20V50%200V/cm (@20V)
30V
10%300V/cm
Tera-SED10
up to 5VCW1000V/cm(@5V)
5-20V50%2000V/cm(@20V)
25V
5%5000V/cm



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