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射頻驅動(兆赫茲和/或千赫茲)的頂電極；底(襯底)電極上沒有射頻偏壓
襯底直接置于加熱電極上
氣體通過頂電極上的噴淋頭式進氣口進入反應室
工作壓強0.5-1.0托
功率密度0.02-0.1Wcm-2
產品簡介
詳細介紹
Benefits 優點
- 和傳統的化學氣相沉積相比工藝溫度更低
- 通過高/低頻混合技術可以控制薄膜應力
- 具有結束點控制的等離子體干法清洗工藝減少或杜絕了物理/化學清洗反應室的需要
- 通過工藝條件來控制化學計量
- 提供廣泛的材料沉積，包括：氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的沉積，它們廣泛應用于光子結構、鈍化、硬膜等。
- 非晶硅（a-Si：H）
- 具有保形臺階覆蓋或無空隙良好臺階覆蓋的正硅酸乙酯二氧化硅
- SiC 碳化硅
- 類金剛石膜
牛津儀器的PECVD工具
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| 特征 | Plasmalab System80Plus | Plasmalab System800Plus | Plasmalab System100 | Plasmalab System133 |
| 電極尺寸 | 240mm | 460mm | 240mm | 330mm |
| 進樣方式 | 開放進樣 | 開放進樣 | 真空進樣 | 真空進樣 |
| 襯底 | 見產品手冊 | 見產品手冊 | 8英寸，可以選擇多片或小片的載片臺 | 12英寸，可以選擇多片或小片的載片臺 |
| 摻雜劑 | 不行 | 不行 | 包括PH3，B2H6和GeH4在內的多種摻雜劑 | 包括PH3，B2H6和GeH4在內的多種摻雜劑 |
| 液體源 | 不行 | 不行 | 可以，正硅酸乙酯 | 可以，正硅酸乙酯 |
| 質量流量計控制的氣體管線 | 可使用8或12根管線 | 可使用8或12根管線 | 可使用8或12根管線 | 可使用8或12根管線 |
| 用于應力控制的射頻轉換開關 | 可以 | 可以 | 可以 | 可以 |
| 載片臺溫度范圍 | 20°C 到400°C | 20°C 到400°C | 標準的是20°C 到400°C，可選zui高到800°C | 標準的是20°C 到400°C，可選zui高到700°C |
| 在位等離子體清洗 | 可以 |
| 可以，結束點可控以獲得*清洗時間 | 可以，結束點可控以獲得*清洗時間 |
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