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深圳維爾克斯光電有限公司
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光折變晶體,BSO,F(xiàn)e:LiNbO3,SBN,BGO晶體

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更新時(shí)間:2022-08-20 16:17:35瀏覽次數(shù):1691次

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光折變晶體,BSO,F(xiàn)e:LiNbO3,SBN,BGO晶體,光折變效應(yīng)是通過光強(qiáng)度的空間變化來改變局部折射率的現(xiàn)象。觀察到相干光在光折射材料中相互干擾時(shí)會(huì)形成空間變化的照明模式。該效果可用于存儲(chǔ)臨時(shí)的可擦除全息圖,也稱為全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

BSO晶體、Fe:LiNbO 3晶體、SBN晶體、BGO晶體

      optogama主要提供BSO,F(xiàn)e:LiNbO 3,SBN和BGO這四種光折變晶體,光折變效應(yīng)是通過光強(qiáng)度的空間變化來改變局部折射率的現(xiàn)象。觀察到相干光在光折射材料中相互干擾時(shí)會(huì)形成空間變化的照明模式。該效果可用于存儲(chǔ)臨時(shí)的可擦除全息圖,也稱為全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。它也可以用于創(chuàng)建相位共軛鏡或光學(xué)空間孤子。光折變晶體,BSO,F(xiàn)e:LiNbO3,SBN,BGO晶體

Optogama提供4Lasers品牌的BSOFeLiNbO3SBNBGO晶體主要用于開發(fā)光折變效應(yīng)的應(yīng)用。光折變效應(yīng)是一種通過光強(qiáng)的空間變化來改變局部折射率的現(xiàn)象。在光折變材料中,當(dāng)相干光相互干擾時(shí)觀察到,光折變材料形成了空間變化的照明模式。這種效果可以用來存儲(chǔ)臨時(shí)的、可擦除的全息圖,也稱為全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。它也可以用來制造相位共軛鏡或光學(xué)空間孤子。

硅酸鉍(Bi)12SiO20bso)晶體是一種高效率的光導(dǎo)材料,暗導(dǎo)率低,允許大量的光誘導(dǎo)空間電荷的積累。巨大的光電導(dǎo)性和電光特性提高了BSO晶體的應(yīng)用范圍:空間光調(diào)制器、光開關(guān)、相位共軛混合器。Optogama用改進(jìn)的Czochralski法生長了BSO晶體,其孔徑可達(dá)3英寸。

鈮酸鋰(LiNbO)3摻雜鐵(FeLiNbO)LN晶體3)具有高的光折變靈敏度、高的電光系數(shù)和衍射效率、化學(xué)力學(xué)性能,是一種很有吸引力的光折變材料。FeLiNbO3晶體采用Czochralsky法生長,尺寸大。廣泛的可用摻雜劑和水平可以調(diào)整特定應(yīng)用的材料性能。更重要的是,FeLinbo3晶體操作方便,成本低,適合批量生產(chǎn)。

SBN晶體晶體具有優(yōu)良的光學(xué)和光折變性能。它們表面上是純的,被CeCrCoFe摻雜。不同成分的SBN晶體在電光、聲光、光折變、非線性光學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。包裹體和其它非均勻性SBN晶體,采用改進(jìn)的Stepanov法生長,線性尺寸可達(dá)40 mm

鍺酸鉍(Bi12GeO20BGO)晶體是具有低暗電導(dǎo)率的高效光電導(dǎo)體,可以積累大量光致空間電荷。

 

硅酸鉍晶體主要特點(diǎn):

-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據(jù)要求定制

 

BSO晶體主要應(yīng)用:

       -空間光調(diào)制器

-光開關(guān)

-相位共軛混合器。

 

BSO晶體的技術(shù)特性:

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BSO晶體的產(chǎn)品規(guī)格:

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硅酸鉍晶體產(chǎn)品型號(hào)

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鈮酸鋰晶體主要特點(diǎn):

-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據(jù)要求定制

LiNbO3晶體的主要應(yīng)用:

-空間光調(diào)制器

-光開關(guān)

-全息記錄

-光波導(dǎo)

 

LiNbO3晶體技術(shù)特性:

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鈮酸鋰晶體產(chǎn)品規(guī)格:

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鈮酸鋰晶體產(chǎn)品型號(hào):

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SBN晶體的主要特點(diǎn):

-Ce,CrCoFe純摻雜

-有效相位共軛

-定制尺寸,摻雜水平,無極化,減反射涂層和沒有電極晶體可根據(jù)要求

 

SBN晶體的主要應(yīng)用:

-光學(xué)信息記錄

-熱釋電探測(cè)器

-自泵浦自共軛鏡

-光學(xué)相關(guān)器

 

SBN晶體的技術(shù)特性:

7.png

SBN晶體的產(chǎn)品規(guī)格:

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SBN晶體的產(chǎn)品型號(hào):

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BGO晶體的主要特點(diǎn):

-高電光系數(shù)(r41=35 pm/v)

-低暗電導(dǎo)

-大尺寸元件或晶片最多可達(dá)3

-可根據(jù)要求定制

 

BGO晶體的主要應(yīng)用:

-空間光調(diào)制器

-光開關(guān)

-光學(xué)相關(guān)器

 

BGO晶體的技術(shù)特性:

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BGO晶體的產(chǎn)品規(guī)格:

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BGO晶體的產(chǎn)品型號(hào):

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光折變晶體,BSO,F(xiàn)e:LiNbO3,SBN,BGO晶體

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