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化學機械拋光機在日常應用中具有眾多特點
化學機械拋光機具有強防腐蝕的功能，在保護操作人員人身安全的情況下，還能夠很好的滿足腐蝕拋光溶劑，如溴甲醇，過氧化氫或酸腐蝕劑等，同樣也適用于腐蝕性較弱的化學拋光，如半導體晶片的背面拋光。CPI系列純化學拋光設備可以與GNAD系列研磨拋光設備配合使用，可以實現電子器件對于晶片表面平整度、平行度及厚度非常苛刻的控制要求，并能*達到這些控制標準。
化學機械拋光機的原理：
設備由主驅動系統，防腐蝕填料系統，廢料疏導系統和遠程控制系統組成，拋光盤更換方便，并且容易清洗。主驅動系統配有齒輪驅動裝置，樣品在行星齒輪內繞著中心齒輪同步轉動，保證了樣品表面平整度和平行度。
應用：
1、用于紅外探測和其它器件的碲鋅鎘，銻化銦，碲鎘汞等材料在封裝及外延生長前的末級化學腐蝕拋光。
2、用于薄脆的半導體材料，如砷化鎵，磷化銦和多種Ⅲ-Ⅴ族，Ⅱ-Ⅵ族化合物等。
3、用于所有需要電子/光學級拋光的高標準應用，如硫化鎘及類似的光電材料。
化學機械拋光機主要特點：
1、原位摩擦：該儀器通過測量原位摩擦和磨損程度來研究基本的拋光技術，而磨擦的變化則可用來描述移除率的近似值。
2、原位墊片磨損：原位磨損率則可用來反應在拋光，調節等情況下墊片的狀態。
3、狀態：原位和非原位調節
4、晶片尺寸：易于替換的晶片夾具可在同一測試儀上進行拋光樣品的尺寸由1英寸至4英寸。
5、泵：獨立的可編程泵可提供泥漿，水以及其他的化工產品。
6、技術：化學機械拋光（CMP）是用來對正在加工中的晶片或其他物料進行平坦化處理的過程，而拋光技術則是利用了物理和化學的協同作用對晶片進行的拋光，通過給儲存在拋光片里樣本的底座一個加載力而完成的，當包含了研磨劑和活性化學劑兩種成分的拋光液通過底部時，拋光墊和樣本開始計數旋轉。