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公司能夠提供4“、6“、8“圓片，基底厚度100～500um頂層單晶厚度0.2～50µm，基底層厚度100～500µm，電阻率可定制。
也可提供直徑100mm, 125mm, 150mm以及200mm圓片及其外延片。產品系列包括Simbond,鍵合圓片，高劑量和低劑量SIMOX圓片，并可根據用戶需求外延到所需的表層硅厚度。
產品簡介
詳細介紹
公司能夠提供4"、6"、8"圓片，基底厚度100～500um頂層單晶厚度0.2～50µm，基底層厚度100～500µm，電阻率可定制。
也可提供直徑100mm, 125mm, 150mm以及200mm圓片及其外延片。產品系列包括Simbond,鍵合圓片，高劑量和低劑量SIMOX圓片，并可根據用戶需求外延到所需的表層硅厚度。此外，公司還向用戶提供頂層硅小于50nm的超薄SIMOX系列和用于RF系統集成用的高阻SIMOX圓片。
尺寸 | 2" 3" 4" 5" 6" 8" 12" 以及特殊尺寸和規格硅片 |
表面 | 單拋、雙拋 |
晶向 | <100> \ <111>\ <110>\ <211>\ <511> 以及各種偏角度的硅片 |
厚度 | 100um 200um 300um 400um 500um 1mm 5mm等各種厚度，厚度公差+-10um, TTV< 10um或按客戶要求，粗糙度<0.2nm |
導電類型 | N-type、 P-type、undope (本征高阻) |
單晶方式 | 直拉（CZ）、區熔（FZ）、NTD（中照） |
電阻率 | 重摻zui低可達 <0.001 ohm.cm， 低摻常規1~10 ohm.com ， 中照常規500~800ohm.cm，區熔本征：> 1000 ohm.cm， >3000 ohm.cm， >5000 ohm.cm，>8000 ohm.cm，>10000 ohm.cm |
其它 | 其他規格可以*按照客戶要求定制，比如更窄的電阻率要求 |
SiO2片 SiNx片
1.氧化硅片（SiO2）
2～8英寸，氧化層厚度100Å～10um
氧化層厚度可根據用戶的需要進行生長。一般常規的4英寸、8英寸2000 Å～5000 Å SiO2層厚度有庫存。
2. 氮化硅片（SiNx）
2～8英寸LPCVD生長的低應力氮化硅層，氮化硅層厚度1000 Å～5um，其中4英寸5000 Å氮化硅片有庫存，其它需要2-5天可以完成，一般應用于MEMS薄膜器件制作，是作為濕法腐蝕硅的良好掩蔽層 。