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光刻膠的主要技術參數及其分類

閱讀:11790        發布時間:2017-7-27

光刻膠的主要技術參數及分類

光刻膠的主要技術參數

分辨率(resolution):是指光刻膠可再現圖形的zui小尺寸。一般用關鍵尺寸來(CD,Critical Dimension)衡量分辨率。

對比度(Contrast):指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。

敏感度(Sensitivity):光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的zui小能量值(或zui小曝光量)。單位:毫焦/平方厘米mJ/cm2。

粘滯性/黏度 (Viscosity):衡量光刻膠流動特性的參數。光刻膠中的溶劑揮發會使粘滯性增加。

粘附性(Adherence):是指光刻膠與晶圓之間的粘著強度。

抗蝕性(Anti-etching):光刻膠黏膜必須保持它的粘附性,并在后續的濕刻和干刻中保護襯體表面,這種性質被稱為抗蝕性。

表面張力(Surface Tension):液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間的吸引力。   

 

光刻膠的分類

1.根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類

正膠(Positive Photo Resist):曝光前對顯影液不可溶,而曝光后變成了可溶的,能得到與掩模板遮光區相同的圖形。

負膠(Negative Photo Resist):反之。

正膠

優點

分辨率高、對比度好

缺點

粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本

靈敏度

曝光區域光刻膠*溶解時所需的能量

負膠

優點

良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快

缺點

顯影時發生變形和膨脹,導致其分辨率

靈敏度

保留曝光區域光刻膠原始厚度的50%所需的能量

 

2.  根據光刻膠能形成圖形的zui小光刻尺寸來分:

傳統光刻膠(正膠和負膠)

      適用于紫外光(UV),I線365nm、H線405nm和G線436nm,關鍵尺寸在0.35um及其以上。

化學放大光刻膠(CAR,Chemical Amplified Resist)

      適用于深紫外光(DUV),KrF 準分子激光248nm和 ArF準分子激光193nm。

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