您好, 歡迎來到化工儀器網
光刻過程簡介
閱讀：3426 發布時間：2016-12-24
光刻：
通過光刻將光刻版上的圖形印刷到Wafer上，首先要在Wafer上涂上一層感光膠，在需要開口的地方進行高強平行光線曝光（紫外線），讓光線通過，然后在經過顯影，將開口處的膠去掉，這樣就可以得到我們所需要的CD開口。所謂的CD（Critical-Dimensions）【臨界尺寸】也即光刻的開口。
光刻工序中的曝光和顯影類似照相的工藝原理。
曝光方式有三種
- 接觸式曝光:解晰度好,但掩膜版易被污染
- 接近式曝光:解晰度降低,但掩膜版不易被污染
- 投影式曝光:解晰度好,并且掩膜版不易被污染
在Bumping生產中,一般采用接近式曝光和投影式曝光兩種方式.
正膠版與光刻膠的關系：
光刻版出現的白區，透過光照后，與膠發生光學反應，再通過感光膠的反應（顯影液），得到所需要的CD開口區。
負膠版與光刻膠的關系：
光刻版出現的黑區與正膠版相反，透過光的區域不會被顯影掉，未透光的區域與膠發生化學反應（顯影液），將需要的光刻膠留在Wafer表面，
負膠的作用：一般用來對芯片起表面保護作用、壓點轉移、重新布線開口。
針對Bump與Bump之間間距很小或開口尺寸要求放大或縮小時
