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光刻膠
光刻膠
又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經光照后，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部分，得到所需圖像（見圖光致抗蝕劑成像制版過程）。
分類
光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹脂的化學結構，可以分為三種類型。
光聚合型
采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，zui后生成聚合物，具有形成正像的特點。
光分解型
采用含有疊氮醌類化合物的材料，經光照后,會發生光分解反應,由油溶性變為水溶性，可以制成正性膠。
光交聯型
采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性。
參數
分辨率
分辨率英文名：resolution。區別硅片表面相鄰圖形特征的能力,一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，的分辨率越好。
對比度
對比度（Contrast）指從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，分辨率越好。
敏感度
敏感度（Sensitivity）上產生一個良好的圖形所需一定波長光的zui小能量值（或zui小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要。
粘滯性/黏度
粘滯性/黏度（Viscosity）是衡量流動特性的參數。粘滯性隨著中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產生厚的；越小的粘滯性，就有越均勻的厚度。的比重（SG，Specific Gravity）是衡量的密度的指標。它與中的固體含量有關。較大的比重意味著中含有更多的固體，粘滯性更高、流動性更差。粘度的單位：泊（poise），一般用厘泊（cps，厘泊為1%泊）來度量。百分泊即厘泊為粘滯率；運動粘滯率定義為：運動粘滯率=粘滯率/比重。 單位：百分斯托克斯。
粘附性
粘附性（Adherence）表征粘著于襯底的強度。的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形。的粘附性必須經受住后續工藝（刻蝕、離子注入等）。
抗蝕性
抗蝕性（Anti-etching）必須保持它的粘附性，在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。
表面張力
液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。應該具有比較小的表面張力（Surface Tension），使具有良好的流動性和覆蓋。
應用
模擬半導體（Analog Semiconductors）
發光二極管（Light-Emitting Diodes LEDs）
微機電系統（Microelectromechanical Systems MEMS）
太陽能光伏（Solar Photovoltaics PV）
微流道和生物芯片（Microfluidics & Biochips）
光電子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）
封裝（Packaging）
研究方向
① 工藝角度
普通的在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了圖形的對比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統分辨率的性能，人們正在研究在曝光的表面覆蓋抗反射涂層的新型技術 。該技術的引入，可明顯減小表面對入射光的反射和散射，從而改善的分辨率性能，但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。
② 曝光系統
伴隨著新一代曝光技術（NGL）的研究與發展，為了更好的滿足其所能實現光刻分辨率的同時，也相應發展。*曝光技術對的性能要求也越來越高。
③的鋪展
如何使均勻地，按理想厚度鋪展在器件表面，實現工業化生產。
④的材料
從的材料考慮進行改善。