X射線光電子能譜(X-ray Photoelectron Spectroscopy，簡稱XPS)，是一種基于光電效應的電子能譜，是測量電子能量的譜學技術，最初是被用來進行化學分析，因此也被稱為化學分析電子能譜(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis，簡稱ESCA)。
表面是指物體最表層的幾層原子和覆蓋在其上面的一些外來原子和分子所形成的的表面層。表面的厚度一般在零點幾納米到幾個納米之間，表面層具有*的性質，與內層性質有很大差異甚至*不同。由于表面在現代科學技術中的作用日益重要，所以科學家們把表面稱為物質第四態，叫做“表面態”。表面態指表面的局域電子能級，是一些在與固體體相離域電子能帶交換電子或共享電子方面具有活性的能級。
XPS是一種重要的常規表面成分分析技術，其分析深度約為0~100埃，也就是10nm以內(目前ULVAC-PHI的HAXPES具有雙陽極靶、雙單色器，已經具備30nm深度的無損分析能力)。它不但可以提供分子結構和原子價態方面的信息，還能提供各種化合物的元素組成和含量、化學狀態、分子結構、化學鍵方面的信息，可以給出表面、微小區域和深度分布等方面的信息。XPS可用于定性和半定量分析除H、He以外所有表面元素，因而廣泛地應用于材料研究的各個領域。
Resource from XPS International
– XPS Periodic Table
發展簡史
history
1887年，海因里希·魯道夫·赫茲發現了光電效應；1895年倫琴發現X射線；1905年，愛因斯坦解釋了該現象(并為此獲得了1921年的諾貝爾物理學獎)。兩年后的1907年，P.D. Innes用倫琴管、亥姆霍茲線圈、磁場半球(電子能量分析儀)和照像平版做實驗來記錄寬帶發射電子和速度的函數關系，他的實驗事實上記錄了人類第一條X射線光電子能譜。其他研究者如亨利·莫塞萊、羅林遜和羅賓遜等人則分別獨立進行了多項實驗，試圖研究這些寬帶所包含的細節內容。XPS的研究由于戰爭而中止，第二次****后瑞典物理學家凱·西格巴恩和他在烏普薩拉的研究小組在研發XPS設備中獲得了多項重大進展，并于1954年獲得了氯化鈉的首條高能高分辨X射線光電子能譜，顯示了XPS技術的強大潛力。1967年之后的幾年間，西格巴恩就XPS技術發表了一系列學術成果，使XPS的應用被世人所*。在與西格巴恩的合作下，美國惠普公司于1969年制造了*臺商業單色X射線光電子能譜儀。1981年西格巴恩獲得諾貝爾物理學獎，以表彰他將XPS發展為一個重要分析技術所作出的杰出貢獻。
基本原理
tehory
XPS的原理是用X射線去輻射樣品，使原子或分子的內層電子或價電子受激發射出來。被光子激發出來的電子稱為光電子，通過測量光電子的能量，可以得到豐富的信息。以光電子的動能/束縛能(binding energy，Eb=hv光能量-Ek動能-w功函數)為橫坐標，相對強度(脈沖/s)為縱坐標可做出光電子能譜圖。光電子的結合能具有指紋效應，可用于鑒別元素及其化學態，并可以對其進行定性和半定量分析。通過結合能的識別得到的譜圖可以鑒別元素的組成、化學態的解析(如下譜圖所示)。
系統組成
system
一臺商業化的XPS系統通常包括以下部分：單色化X射線源系統、真空系統、樣品觀察和操控系統、光電子探測器、能量分析器、能量傳輸透鏡、電荷中和系統、Ar離子槍、能譜儀控制和數據處理系統、烘烤加熱系統、循環水冷卻系統、電氣控制柜等。隨著技術的不斷發展，在大面積XPS分析、小面積微區XPS分析、SXI二次電子成像及精準定位、變角XPS分析、深度剖析、低能雙束荷電中和等基本功能上，更多的功能可以在XPS系統的基礎上得以實現，其中比較常見的功能包括：紫外光電子能譜(UPS)、反光電子能譜(IPES)、離子刻蝕技術(C60、Ar團簇離子槍)、SAM掃描俄歇能譜、反射式電子能量損失譜(REELS)、樣品加熱冷卻、真空互聯等等……
XPS的應用
application
XPS幾乎應用于所有表面問題的研究，可定性半定量分析固體材料表面成分信息(包括元素組成、化學態等)，并且通過X射線可以進行選區分析從而表征成分的分布情況(ULVAC-PHI掃描聚焦式X射線可小于7.5微米)；所以XPS可被廣泛應用于合金、礦物、半導體、高分子聚合物，催化劑、硅酸鹽陶瓷、生物醫藥、能源材料等分析領域。
XPS可以應對從大面積到微區的分析需求，既可以表征表面成分，表面多層薄膜等，又可以對環境顆粒物、表面缺陷(腐蝕，異物，污染，分布不均等)進行微區定位分析，因此對于各種材料開發，材料剖析與失效機理的分析和研究具有不可替代的作用。
本文小編粗淺的介紹了X射線光電子能譜儀的一些基礎知識，后續我們還會提供更有價值的知識和信息，希望大家持續關注“表面分析家”！
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