一、GJB150標(biāo)準(zhǔn)概述

GJB150（《軍工裝備實驗室環(huán)境試驗方法》）是中國國家軍工標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了軍工設(shè)備在高低溫環(huán)境下的適應(yīng)性測試方法，驗證設(shè)備在溫度條件下的工作性能和可靠性。

• 適用對象：軍工電子設(shè)備、機(jī)械部件、系統(tǒng)等。

• 核心目標(biāo)：模擬裝備在儲存、運(yùn)輸、使用過程中可能遭遇的溫度環(huán)境，確保其在溫度下功能正常。

二、高低溫試驗分類

根據(jù)GJB150，高低溫試驗分為以下兩類：

1. 高溫試驗

• 試驗類型：

• 高溫工作試驗：設(shè)備在高溫環(huán)境下通電運(yùn)行。

• 高溫貯存試驗：設(shè)備在高溫環(huán)境下斷電存放。

• 溫度范圍：

• 一般要求：+70℃（可根據(jù)裝備實際使用環(huán)境調(diào)整，如沙漠地區(qū)可能要求更高）。

• 持續(xù)時間：

• 工作試驗：至少2小時（或直至溫度穩(wěn)定）。

• 貯存試驗：24小時或更長（根據(jù)裝備需求）。

2. 低溫試驗

• 試驗類型：

• 低溫工作試驗：設(shè)備在低溫環(huán)境下通電運(yùn)行。

• 低溫貯存試驗：設(shè)備在低溫環(huán)境下斷電存放。

• 溫度范圍：

• 一般要求：-55℃（寒區(qū)裝備可能要求更低溫，如-65℃）。

• 持續(xù)時間：

• 工作試驗：至少2小時（或直至溫度穩(wěn)定）。

• 貯存試驗：24小時或更長。

三、試驗流程

1. 預(yù)處理

• 設(shè)備在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件（溫度25℃±5℃，濕度50%±20%）下放置24小時，確保初始狀態(tài)穩(wěn)定。

2. 初始檢測

• 記錄設(shè)備外觀、電氣性能、機(jī)械功能等基線數(shù)據(jù)。

3. 條件試驗

• 高溫試驗步驟：

1. 以**≤3℃/min**的速率升溫至目標(biāo)溫度（如+70℃）。

2. 保持溫度穩(wěn)定，進(jìn)行通電運(yùn)行或貯存。

3. 監(jiān)測設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)（如功耗、信號輸出、機(jī)械動作）。

• 低溫試驗步驟：

1. 以**≤3℃/min**的速率降溫至目標(biāo)溫度（如-55℃）。

2. 保持溫度穩(wěn)定，進(jìn)行通電運(yùn)行或貯存。

3. 監(jiān)測設(shè)備是否出現(xiàn)凍結(jié)、材料脆化等問題。

4. 中間檢測

• 在試驗過程中記錄設(shè)備的關(guān)鍵性能參數(shù)（如電壓、通信信號）。

5. 恢復(fù)

• 將設(shè)備從試驗箱中取出，在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下恢復(fù)1~2小時（避免冷凝水影響檢測）。

6. 最后檢測

• 檢查設(shè)備外觀、功能是否正常，對比初始數(shù)據(jù)判斷是否合格。

四、試驗設(shè)備要求

1. 高低溫試驗箱：

• 溫度范圍：至少覆蓋**-70℃至+150℃**。

• 均勻性：試驗區(qū)域內(nèi)溫度偏差≤±2℃。

• 控制精度：±1℃。

2. 監(jiān)測儀器：

• 溫度傳感器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、電壓/電流表等。

五、判定標(biāo)準(zhǔn)

• 功能正常：設(shè)備在試驗中和試驗后能按設(shè)計要求運(yùn)行。

• 外觀無損傷：外殼無變形、裂紋，涂層無脫落。

• 性能參數(shù)符合要求：電氣指標(biāo)、機(jī)械精度等均在允許范圍內(nèi)。

六、注意事項

1. 溫度變化速率：需嚴(yán)格控制在≤3℃/min，避免熱沖擊導(dǎo)致材料失效。

2. 設(shè)備狀態(tài)：

• 工作試驗時需模擬實際負(fù)載（如最大功耗狀態(tài)）。

• 貯存試驗需斷電并密封（防止冷凝水進(jìn)入）。

3. 傳感器布置：溫度探頭應(yīng)貼近設(shè)備關(guān)鍵發(fā)熱或敏感部位（如芯片、電池）。

4. 溫度適應(yīng)性：

• 高溫試驗需注意散熱設(shè)計是否合理（避免過熱保護(hù)失效）。

• 低溫試驗需驗證潤滑劑、塑料件等材料的耐寒性。

七、常見應(yīng)用場景

• 軍工車輛電子系統(tǒng)

• 機(jī)載/艦載設(shè)備

• 制導(dǎo)系統(tǒng)

• 野戰(zhàn)通信設(shè)備

八、測試失敗的可能原因

1. 材料問題：塑料件低溫脆化、橡膠密封圈高溫老化。

2. 電路設(shè)計缺陷：元器件溫度漂移超出容限。

3. 結(jié)構(gòu)設(shè)計不足：外殼熱膨脹/收縮導(dǎo)致縫隙滲水或開裂。