四探針電阻率采購時需說明測試介質的性質，根據不同的介質選配不同個測試探頭，以便達到設置的實驗目的！具體信息可打詢問！

四探針電阻率測定儀  貨號：ZH221 
嚴格按照硅片電阻率測量的標準（ASTM F84）及標準設計制造，并針對目前常用的四探針電阻率測試儀存在的問題加以改進
是用來測量半導體材料（主要是硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠方塊電阻的測量儀器。它主要由電氣測量部份（簡稱：主機）、測試架及四探針頭組成。
本儀器的特點是主機配置雙數字表，在測量電阻率的同時，另一塊數字表（以之幾的精度）適時監測程的電流變化，免除了測量電流/測量電阻率的轉換，及時掌控測量電流。主機還提供精度為0.05%的恒流源，使測量電流高度穩定。本機配有恒流源開關，在測量某些箔層材料時，可免除探針尖與被測材料之間接觸火花的發生，好地保護箔膜。儀器配置了本公司的產品：“小游移四探針頭”，探針游移率在0.1～0.2%。了儀器測量電阻率的重復性和準確度。本機如加配HQ-710E數據處理器，測量硅片時可自動進行厚度、直徑、探針間距的修正，并計算、打印出硅片電阻率、徑向電阻率的zui大百分變化、平均百分變化、徑向電阻率不均習庋。給測量帶來很大方便。
主機能數
測量范圍：
可測電阻率：0.0001～19.9999cm
可測方塊電阻：0.0001～1000Ωcm
恒流源：
輸出電流：DC 0.001～100mA 五檔連續可調
量程：0.001～0.01mA
0.01～0.10mA
0.10～1.0mA
1.0～10mA
10～100mA
恒流精度：檔均低于±0.05%
直流數字電壓表：
測量范圍：0～19.999mV
靈敏度：1μV
基本誤差：±（0.004%讀數+0.01%滿度）
輸出電源：≥1000ΩM
供電電源：
AC 220V±10% 50/60 Hz 功率：12W
使用環境：
溫度：23±2℃ 相對濕度：≤65%
較強的電場干擾，強光直接照射
重量、體積：
主機重量：7.5kg
體積：365×380×160（單位：mm 長度×寬度×高度）

四探針頭
產品簡介
使用幾何尺寸的紅寶石軸套，確保探針間距的恒定、準確。
控制寶石內孔與探針之間的縫隙不大于6μｍ，探針的小游移率。
采用的S型懸臂式彈簧，使每根探針都具有立、準確的壓力。
量具精度的硬質合金探針，在寶石導孔內穩定運動，持久耐磨。
用途
測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率，測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻。
測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻。
探針間距
直線四探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
方形四探針…………… 1.00mm
直線三探針…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
兩探針    …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
指標
游移率   
       B…………… ＜0.5%
       A……………＜0.3%
       AA………… ＜0.2%
       AAA…………＜0.1%
間距偏差  
        B…………… ＜3%
        A…………… ＜2%
        AA…………  ＜2%
        AAA………… ＜1%
zui大針與導孔間隙：0.006mm
探針材料：硬質合金（主成份：進口碳化鎢）或高速鋼
探針壓力  標準壓力：6—10N（4根針總壓力）
          小壓力：1.2—5N（4根針總壓力）     
          1牛頓（N）=101.97克
針尖壓痕直徑：25—100μｍ、100—250μｍ（簿層）
500V緣電阻：＞1000MΩ 

四探針手動測試架
產品簡介 
支架尺寸：
豎測高度：500mm
臺面：200×300mm/240×380mm
特點：
主于測棒、塊。
注：其它尺寸可按要求訂做

四探針手動測試架  
產品簡介 
支架尺寸：
豎測高度：120mm
臺面：200×300mm
特點：
主于測片。