100C型200型的的，區(qū)別只是紅外激光管的功率大了一倍，加了個紅外地光照破除陷進效應(yīng)
τ:1～6000μs   ρ＞0.1Ω·cm太陽能，硅片壽命，配已知壽命樣片、配數(shù)字示波器，
本設(shè)備是按照，標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設(shè)計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業(yè)已運用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗，經(jīng)過數(shù)次，十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟，的測試方法，適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測量；也可對硅片進行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，因此制樣簡便。
產(chǎn)品特點：
可測量太陽能，多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面拋光，直接對切割面或研磨面進行測量，儀器可按需方提供的有標稱值的校準樣品調(diào)試壽命值。
可測量太陽能，單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面拋光、鈍化。
液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時在線顯示光電導衰退波形。
配置的紅外光源：0.904～0.905μm波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利于測量低阻太陽能，硅晶體少數(shù)載流子體壽命，脈沖功率30W。
，為消除陷進效應(yīng)增加了紅外低光照。
測量范圍寬廣
測試儀可直接測量：
 a、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω?cm的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。
 b、拋光面：電阻率在0.5～0.01Ω?cm范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
范    圍：0.5μs~6000μs
電 阻 率：ρ﹥0.1Ω·cm（非回爐料）
測試速度：1分鐘/片
紅外光源波長： 0.904～0.905μm
高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ
前置放大器，放大倍數(shù)約25，頻寬2HZ-2MHZ
可測單晶尺寸：斷面豎測：
直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm
縱向臥測：直徑5mm-20mm；長度50mm-200mm
測量方式：采用數(shù)字示波器直接讀數(shù)方式
測試分辨率：，數(shù)字存儲示波器，分辨率0.01μs
設(shè)備重量：20 Kg
儀器電源：電源電壓類型：單相210～230V,50Hz,帶電源隔離、濾波、穩(wěn)壓，不能與未做保護措施的大功率、高頻設(shè)備共用電源。