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恒溫恒濕試驗箱環(huán)境試驗設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)

現(xiàn)行環(huán)境試驗設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)共有九項：

濕熱試驗箱技術(shù)條件

鹽霧試驗箱技術(shù)條件

長霉試驗箱技術(shù)條件

低溫試驗箱技術(shù)條件

低溫/低氣壓試驗箱技術(shù)條件

高溫/低氣壓試驗箱技術(shù)條件

高、低溫試驗箱技術(shù)條件

9高溫試驗箱技術(shù)條件

低氣壓試驗箱技術(shù)條件

貫徹執(zhí)行過程中的注意事項

1)對基本環(huán)境條件的要求，綜合在一起主要有下列幾項

A)溫度：15℃~35℃

B)相對濕度：不大于85%RH

C)大氣壓強：86Kpa~106Kpa

D)熱輻射：無陽光起直射，無熱源直接輻射

E)氣流：無強烈氣流，需要時不可直接吹到箱體上

F)電磁場：無強烈電磁場

G)三廢：無高濃度粉塵及腐蝕性物質(zhì)

H)冷卻水源：水溫不大于30℃，水壓控制在0.1~0.3Mpa

I)加濕水源：電阻率不低于500Ωm

J)電源：220±22V、380±38V、50±0.5Hz

2)負(fù)載要求：

A)負(fù)載品種：一般可用電工、電子產(chǎn)品或其它產(chǎn)品、零部件及絕緣材料等(鹽霧試驗除外)

B)負(fù)載條件：

-------負(fù)載總質(zhì)量：50~80Kg/m3

-------負(fù)載總體積：不大于工作室容積的1/5

-------阻擋主風(fēng)道總面積：不大于主風(fēng)道所處工作室截面積的1/3

-------鹽霧試驗設(shè)備：規(guī)格：50*100*(1~2)mm

-------種類：金屬

-------樣品數(shù)：160塊/m2(工作室水平面面積計)