AEC-Q200試驗條件
說明：AEC-Q200的環境試驗條件，主要是依據MIL-STD-202與JEDEC22A-104規范來制定的，不同零件的試驗溫度除了不一樣之外，其施加電源(電壓、電流、負載)要求也會有所不同，高溫儲存屬于不施加偏壓與負載，但是在高溫工作壽命就需要，溫度循環與溫度沖擊，其試驗目的與手法不一樣，在溫度循環中高低溫變化需控制溫變率，溫沖擊則不用，偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗，而濕度抵抗就是濕冷凍試驗
試驗條件注意事項：1000h試驗過程需在250h、500h進行間隔量測
高溫儲存(MIL-STD-202-108)：[適用設備：高低溫試驗箱]
薄膜電容、網絡低通濾波器、網絡電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h
電感、變壓器、電阻：125℃/1000h
變阻器：150℃/1000h
鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容：*大額定溫度/1000h
高溫工作壽命(MIL-STD-202-108)：[適用設備：高低溫試驗箱]
網絡低通濾波器、網絡電阻：85℃/1000h
EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h/施加額定IL
鉭電容、陶瓷電容：*大額定溫度/1000h/ (2/3)負載/額定電壓
鋁電解電容、電感、變壓器：105℃/1000h
薄膜電容：1000h/(85℃/125%額定電壓、105℃&125℃/100%額定電壓)
自恢復保險絲：125℃/1000h
電阻、熱敏電阻、可變電容：125℃/1000h/額定電壓
可變電阻：125℃/1000h/額定功率
變阻器：125℃/1000h/額定電壓85％+ma電流
陶瓷共鳴器：85℃/1000h/額定VDD+1MΩ，并聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
石英震蕩器：125℃/1000h/額定VDD+1MΩ，并聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
溫度循環(JEDEC22A-104)：[適用設備：冷熱沖擊試驗箱、ESS快速溫度變化試驗箱]
薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻： -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
鋁電解電容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
電感、變壓器、變阻器、石英震蕩器、自恢復保險絲：-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
網絡低通濾波器、網絡電阻：-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
溫度沖擊(MIL-STD-202-107)：[適用設備：溫度循環箱、冷熱沖擊試驗箱]
自恢復保險絲：-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles
偏高濕度(MIL-STD-202-103)：[適用設備：高低溫濕熱試驗箱]
鉭電容、陶瓷電容：85℃/85%R.H./1000h/電壓1.3～1.5V
電感&變壓器：85℃/85%R.H./1000h/不通電
鋁電解電容：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓
EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓＆電流
電阻、熱敏電阻：85℃/85%R.H./1000h/工作電源10%
自恢復保險絲：85℃/85%R.H./1000h/額定電流10%
可變電容、可變電阻：85℃/85%R.H./1000h/額定功率10%
網絡低通濾波器&網絡電阻：85℃/85%R.H./1000h/電壓[網絡電容(額定電壓)、網絡電阻(10%額定功率)]
變阻器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓85％+ma電流
石英震蕩器、陶瓷共鳴器：85℃/85%R.H./1000h/額定VDD+1MΩ，并聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
薄膜電容：40℃/93%R.H./1000h/額定電壓
濕度抵抗(MIL-STD-202-106)：[適用設備：高低溫濕熱試驗箱]
薄膜電容：(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通電
AEC-Q200專有名詞整理： 簡稱 | 中文 | 英文 | 說明 | 8D | 解決問題方法 | | | AEC | 汽車電子設備協會 | Automotive Electronic Council | 由車廠[克賴斯勒(Chrysler)、福特(Ford)、通用汽車(GM)]發起并創立于1994年，目前會員遍及各大汽車廠、汽車電子與半導體廠商。 | AEC-Q001 | 零件平均測試指導原則 | | | AEC-Q002 | 統計式良品率分析的指導原則 | | | AEC-Q003 | 芯片產品的電性表現特性化的指導原則 | | | AEC-Q005 | 無鉛測試要求 | | | AEC-Q100 | 基于集成電路應力測試認證的失效機理 | | 規范了零件供貨商所必須達成的產品質量與可靠度，試驗條件多仍以JEDEC或MIL-STD為主，外加上其它獨立建置的測試手法。 | AEC-Q100-001 | 邦線切應力測試 | | | AEC-Q100-002 | 人體模式靜電放電測試 | | | AEC-Q100-003 | 機械模式靜電放電測試 | | | AEC-Q100-004 | 集成電路閂鎖效應測試 | | | AEC-Q100-005 | 可寫可擦除的長久性記憶的耐久性、數據保持及工作壽命的測試 | | | AEC-Q100-006 | 熱電效應引起的寄生閘極漏電流測試 | | | AEC-Q100-007 | 故障仿真和測試等級 | | | AEC-Q100-008 | 早期壽命失效率（ELFR） | | | AEC-Q100-009 | 電分配評估 | | | AEC-Q100-010 | 錫球剪切測試 | | | AEC-Q100-011 | 帶電器件模式的靜電放電測試 | | | AEC-Q100-012 | 12V系統靈敏功率設備的短路可靠性描述 | | | AEC-Q101 | 汽車級半導體分立器件應力測試認證 | | | AEC-Q200 | 無源器件應力測試標準 | | | AEC-Q200-001 | 阻燃測試 | | | AEC-Q200-002 | 人體模式靜電放電測試 | | | AEC-Q200-003 | 橫梁負載、斷裂強度 | | | AEC-Q200-004 | 自恢復保險絲測量程序 | | | AEC-Q200-005 | 板彎曲度測試 | | | AEC-Q200-006 | 表面貼裝后的剪切強度測試 | | | AEC-Q200-007 | 電涌測試 | | | | 汽車等級認證 | Automotive Grade Qualification | | DWV | 耐壓 | | | DPM | 百萬缺陷數 | defect per million | 半導體組件的缺陷率 | EIA-469 | 破壞性的物理分析 | | | EIA-198 | 陶瓷電介質電容器 | | | EIA-535 | 鉭電容 | | | ESD | 靜電放電 | | | EWS | 電性晶圓測試 | Eletrical Wafer Sort | | FIT | 故障時間 | | | HRCF | 高可靠性認證流程 | High Reliability Certified Flow | | IEC 10605 | 靜電放電人體模式 | | | ISO-26262 | 車輛機能安全 | | | ISO-7637-1 | 道路車輛電子干擾 | | | JEDEC-STD-002 | 可焊性規格 | | | JEDEC-STD-121 | 測量錫和錫合金表面涂層的錫須生長測試方法 | | | JEDEC-STD-201 | 錫和錫合金表面涂層的錫須環境驗收要求 | | | JEDEC22A-104 | 溫度循環 | | | MIL-PRF-27 | 電感/變壓器的測試方法 | | | MIL-STD-202 | 國防部標準電子及電氣組件測試方法 | | | NEMI | 東京錫須會議 | | | PPAT | 參數零件平均測試 | Parametric Part Average Testing | | PPB | 十億分之一 | Parts Per Billion | | | 篩選方法 | Screening Method | | SYA | 統計性良率分析 | Statistical yield analysis | | | 應力測試 | Stress Test | | UL-STD-94 | 塑料材料可燃性測試 | | |
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