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非晶矽前驅物（a-Si）。

氮化矽 (SiNx)。

氧化矽，矽烷基(SiOx)。

氧化矽，TEOS (SiOx)。

客製化基板尺寸最大為550 x 650 mm2(玻璃)。

優異的薄膜均勻度小於±3％。

每個製程腔內最多可加裝7組氣體管線。

遠程電漿進行腔體清潔。

穩定的溫度控制，可將基板加熱到380°C。

Cassette傳送站。

TEOS沉積製程。

OES、RGA或製程監控的額外備用端口。